Ajude-me a escolher: Memória

 

A nova tecnologia de memória DDR3 oferece vantagens significativas em relação às tecnologias DDR2 FBD anteriores:

  • Cada CPU tem três hubs de controlador de memória (MCHs) separados, incluídos no pacote da CPU; as transações de memória não precisam mais realizar transferências entre a CPU e outro dispositivo para atingir a RAM.
  • Quando comparada com as tecnologias DDR2 FBD anteriores, a memória DDR3 oferece maior largura de banda e menor consumo de energia.

Os processadores Intel™ Xeon séries 5500 e 5600 suportam dois tipos de memória DDR3:

  • UDIMMs: DIMMs sem armazenamento em buffer
  • RDIMMs: DIMMs registrados

O registro permite que os RDIMMs sejam executados em frequências mais altas e ofereçam suporte a mais DIMMs em um canal de memória.


Comparação entre as memórias

 UDIMM  RDIMM
 Registro/buffer? Não Sim
 Frequências 800, 1.600, 1.333 MHz 800, 1.600, 1.333 MHz
 Fileiras com suporte 1 ou 2 1, 2 ou 4
 Capacidade por DIMM 1 ou 2 GB 1, 2, 4, 8 GB ou 16 GB
 Número máximo de DIMMs por canal 2 3
 Tecnologia DRAM x8 x4 ou x8
 Sensor de temperatura Sim Sim
 ECC Sim Sim
 SDDC Sim Sim
 Paridade de endereço Não Sim

Os RDIMMs são uma boa escolha para clientes que necessitam:
  • Alta capacidade de memória (DIMMs de até 16 GB)
  • Um futuro roteiro de expansão de memória mais amplo devido à capacidade de alcançar três DIMMs por canal
  • Os recursos mais recentes de RAS (paridade de endereço)

Os UDIMMs são uma boa escolha para clientes que necessitam:
  • Quantidade limitada de memória
  • Economia de energia e de custos


Considerações sobre energia
Os RDIMMs usam cerca de 1 W de energia a mais por DIMM que os UDIMMs similares, devido ao recurso de registro. No entanto, o registro permitirá melhorias no desempenho quando a memória for altamente utilizada e mais de 1 DIMM por canal for preenchido. Tanto UDIMMs quanto RDIMMs consomem menos energia que os DIMMs FBD DDR2.


Dependência de velocidade e preenchimento
Devido às limitações de tecnologia, o suporte para frequência apresenta certa dependência dos DIMMs por canal e das fileiras usadas em um DIMM. Por exemplo, uma restrição de preenchimento é a de que todo DIMM quad-rank deve ser o primeiro DIMM instalado em um canal; afora isso, as fileiras podem estar misturadas.

Tipo de DIMM

DIMM 0

DIMM 1

DIMM 2

Número de DIMMs

800

1066

1333

SR

1

Yes

Yes

Yes

DR

1

Yes

Yes

Yes

UDIMM

SR

SR

2

Yes

Yes

No

SR

DR

2

Yes

Yes

No

DR

DR

2

Yes

Yes

No

Tipo de DIMM

DIMM 0

DIMM 1

DIMM 2

Número de DIMMs

800

1066

1333

SR

1

Yes

Yes

Yes

DR

1

Yes

Yes

Yes

QR

SR

2

Yes

Yes

No

SR

SR

2

Yes

Yes

Yes

SR

DR

2

Yes

Yes

Yes

DR

DR

2

Yes

Yes

Yes

RDIMM

QR

SR

2

Yes

No

No

QR

DR

2

Yes

No

No

QR

QR

2

Yes

No

No

SR

SR

SR

3

Yes

No

No

SR

SR

DR

3

Yes

No

No

SR

DR

DR

3

Yes

No

No

DR

DR

DR

3

Yes

No

No



Yes: Com suporte

No: Sem suporte

        Consulte a guia Preenchimento da memória para obter detalhes específicos sobre como preencher seu sistema da melhor forma com base na velocidade da memória e em recursos de Confiabilidade, Disponibilidade e Capacidade de serviço (RAS).

 

 

 

 

Cada CPU possui três MCHs integrados que têm seu próprio canal de memória. Os acessos à memória podem ser intercalados nos nós de CPU, ou o sistema pode ser configurado na Arquitetura de Memória Não Uniforme (NUMA). Esta é a configuração padrão de fábrica do BIOS.

Modo de memória otimizada

Neste modo, os MCHs são executados de forma independente uns dos outros. Por exemplo, um pode estar inativo, outro pode estar executando uma operação de gravação e outro pode estar se preparando para uma operação de leitura. É possível instalar memória em um, dois ou três canais. Para obter todas as vantagens de desempenho do modo de memória otimizada, é necessário preencher todos os três canais por CPU. Para maximizar o desempenho, é melhor adicionar DIMMs nos canais antes de adicionar mais DIMMs em um canal que já esteja preenchido.


Máximo desempenho de largura de banda
Primeiro banco totalmente preenchido com DDR3 de 1.333 MHz por MCH
  • Capacidade máxima de 48 GB (a capacidade de 96 GB pode ser alcançada com DIMMs de 16 GB,a velocidade da memória será de 1.066 MHz)
  • É necessário o processador Intel Xeon série 5550 e superior
  • Haverá suporte a dois DIMMs por canal com a versão do BIOS 1.1.4 (por download em dell.com/support

    Máximo desempenho de largura de banda
Desempenho equilibrado
Primeiro e segundo bancos totalmente preenchidos com DDR3 de 1.066 MHz por MCH
  • Capacidade máxima de 96 GB (a capacidade de 192 GB pode ser alcançada com DIMMs de 16 GB,a velocidade da memória será de 800 MHz)
  • É necessário o processador Intel Xeon série 5520 e superior
  • Em breve, suporte a 1.333 MHz para primeiro e segundo bancos; exige processador Intel Xeon série 5550 e superior (em breve)

Desempenho equilibrado
Capacidade máxima
Primeiro, segundo e terceiro bancos totalmente preenchidos com DDR3 de 800 MHz por MCH
  • Capacidade máxima de 144 GB
  • É necessário o processador Intel Xeon série 5500/5600 e superior

Capacidade máxima
Modo de ECC avançada
Este modo de memória RAS usa dois MCHs e os "une" para emular um DIMM de 128 bits com barramento de dados. Ele é usado principalmente para obter uma Correção de Dados de Dispositivo Único (SDDC) para DIMMs com base em tecnologia DRAM x8. Há suporte a SDDC com DIMMs baseados em x4 em cada modo de memória. Um MCH não é utilizado de forma alguma, e qualquer memória instalada neste canal gerará uma mensagem de aviso durante o POST.

Modo de espelho
Este modo de memória RAS usa dois dos três canais. Gravações de dados idênticos são realizados em cada canal, e as leituras se alternam entre os dois canais. Se erros excessivos de memória forem detectados em um canal, esse canal será desativado e o sistema utilizará o outro canal para leituras e gravações futuras. Isso é, basicamente, um backup de dados e permite que o sistema continue em execução mesmo durante uma falha catastrófica do DIMM em um canal. Visto que a memória é copiada entre os DIMMs, o sistema operacional verificará e relatará apenas metade da memória instalada.

RAS do máximo desempenho de largura de banda
Primeiro banco totalmente preenchido com DDR3 de 1.333 MHz por MCH (apenas 2 MCHs podem ser utilizados)
  • Capacidade máxima de 32 GB (a capacidade de 64 GB pode ser alcançada com DIMMs de 16 GB,a velocidade da memória será de 1.066 MHz; é necessário o processador Intel Xeon série 5520 e superior)
  • Modo de espelho de 16 GB (a capacidade de 32 GB pode ser alcançada com DIMMs de 16 GB,a velocidade da memória será de 1.066 MHz; é necessário o processador Intel Xeon série 5520 e superior)
  • É necessário o processador Intel Xeon série 5550 e superior
  • Haverá suporte a dois DIMMs por canal com a versão do BIOS 1.1.4 (por download em dell.com/support)

Máximo desempenho de largura de banda RAS

RAS do desempenho equilibrado
Primeiro e segundo bancos totalmente preenchidos com DDR3 de 1.066 MHz por MCH (apenas 2 MCHs podem ser utilizados)
  • Capacidade máxima de 64 GB (a capacidade de 128 GB pode ser alcançada com DIMMs de 16 GB,a velocidade da memória será de 800 MHz; é necessário o processador Intel Xeon série 5500/5600 e superior)
  • Modo de espelho de 32 GB (a capacidade de 64 GB pode ser alcançada com DIMMs de 16 GB,a velocidade da memória será de 1.066 MHz; é necessário o processador Intel Xeon série 5500/5600 e superior)
  • É necessário o processador Intel Xeon série 5550 e superior
  • Suporte a 1.333 MHz para primeiro e segundo bancos; exige processador Intel Xeon série 5550 e superior (em breve)

Desempenho equilibrado RAS
RAS da capacidade máxima
Primeiro, segundo e terceiro bancos totalmente preenchidos com DDR3 de 800 MHz por MCH (apenas 2 MCHs podem ser utilizados)
  • Capacidade máxima de 96 GB
  • Modo de espelho de 48 GB
  • É necessário o processador Intel Xeon série 5500/5600 e superior

Capacidade máxima RAS
Critérios de seleção
Ao considerar opções de memória, os cinco fatores principais são preço, desempenho, potência, recursos de RAS e dimensionabilidade.
  • Desempenho = RDIMM
  • Potência = UDIMM
  • Recursos de RAS = RDIMM
  • Dimensionabilidade = RDIMM
  • Preço = UDIMM
     
Desempenho da memória
O desempenho da memória é afetado pela velocidade da CPU, por fileiras de memória e DIMMs por canal.
  • Há suporte a DDR3 de 1.333 MHz somente em 1 DIMM por canal por MCH; haverá suporte a 2 DIMMs por canal com a versão do BIOS 1.1.4 (por download em dell.com/support)
  • Há suporte a DDR3 de 1.066 MHz somente em 2 DIMMs por canal por MCH; uma vez preenchido o terceiro DIMM, a velocidade da memória fará underclock para 800 MHz.
  • A velocidade de memória na capacidade máxima é de 800 MHz.

Para obter o máximo desempenho da memória:
  • Use a memória DDR3 de 1.333 MHz em todos os três canais por CPU
  • Essa velocidade pode oferecer suporte a somente 1 DIMM por canal e, assim, a um máximo de 3 DIMMs por CPU. Haverá suporte a dois DIMMs por canal com a versão do BIOS 1.1.4 (por download em dell.com/support)
  • Nenhum DIMM quad-rank pode ser usado

Para obter o desempenho de memória equilibrado:
  • Use a memória DDR3 de 1.066 MHz em todos os três canais por CPU
  • Essa velocidade pode oferecer suporte a somente 2 DIMMs por canal e, assim, a um máximo de 6 DIMMs por CPU

Para obter a capacidade máxima de memória:
  • Use a memória DDR3 de 800 MHz em todos os três canais por CPU
  • Essa velocidade oferecerá suporte a 3 DIMMs por canal e, assim, a um máximo de 9 DIMMs por CPU
DDR3
Tecnologia de memória Taxa de dados dupla 3.

DIMM
Módulo de memória dupla em linha Este é o "memory stick" instalado em cada slot de memória. É composto de vários chips de memória e, em alguns casos, registros, buffers e/ou sensores de temperatura.

ECC
Este modo usa dois MCHs e os "une" para emular um DIMM de 128 bits com barramento de dados. Ele é usado principalmente para obter uma Correção de Dados de Dispositivo Único (SDDC) para DIMMs com base em tecnologia DRAM x8. Há suporte a SDDC com DIMMs baseados em x4 em cada modo de memória. Um MCH não é utilizado de forma alguma, e qualquer memória instalada neste canal gerará uma mensagem de aviso durante o POST.

Espelhamento
O controlador de memória está configurado para permitir que os mesmos dados sejam gravados em dois bancos de DIMMs. Todos os dados do banco são idênticos entre si; logo, se um banco apresentar falhas ou erros de vários bits, haverá um backup do banco de dados. O sistema operacional relatará apenas metade da memória instalada.

Fileira
Número de áreas de dados com a amplitude de 64 bits.

MCH
Hub do controlador de memória

Modo de ECC avançada
Este modo usa dois MCHs e os "une" para emular um DIMM de 128 bits com barramento de dados. Ele é usado principalmente para obter uma Correção de Dados de Dispositivo Único (SDDC) para DIMMs com base em tecnologia DRAM x8. Há suporte a SDDC com DIMMs baseados em x4 em cada modo de memória. Um MCH não é utilizado de forma alguma, e qualquer memória instalada neste canal gerará uma mensagem de aviso durante o POST.

Modo de espelho
Um dos modos de memória RAS é o modo de espelho. Este modo usa dois dos três canais. Gravações de dados idênticos são realizadas em cada canal, e as leituras se alternam entre os dois canais. Se erros excessivos de memória forem detectados em um canal, ele será desativado, e o sistema utilizará o outro canal para leituras e gravações futuras. Isso é, basicamente, um backup de dados e permite que o sistema continue em execução mesmo durante uma falha catastrófica do DIMM em um canal. Visto que a memória é copiada entre os DIMMs, o sistema operacional verificará e relatará apenas metade da memória instalada.

Modo de memória otimizada
Neste modo, os MCHs são executados de forma independente uns dos outros. Por exemplo, um pode estar inativo, outro pode estar executando uma operação de gravação e outro pode estar se preparando para uma operação de leitura. É possível instalar memória em um, dois ou três canais. Para obter todas as vantagens de desempenho do modo de memória otimizada, é necessário preencher todos os três canais por CPU. Isso implica que algumas configurações atípicas de memória, como 3 GB, 6 GB, ou 12 GB, resultarão no melhor desempenho possível. Este é o modo recomendado, a menos que sejam necessários recursos de RAS específicos.

Paridade de endereço
A capacidade de detectar um erro em uma única linha de endereço. Isso não pode ser corrigido.

RAS
Confiabilidade, disponibilidade e capacidade de serviço.

SDDC
Sistemas de memória que utilizam correção de dados de dispositivo único podem detectar e corrigir erros de vários bits provenientes de um chip de memória único no DIMM.

Sensores de temperatura
Todos os DIMMs possuem sensores de temperatura integrados. Isso permite que o servidor monitore em condições de alta temperatura com a resolução de DIMMs individuais. Isso pode oferecer gerenciamento térmico e de energia mais eficiente.