Ayuda para elegir: Memory

 
La nueva tecnología de memoria DDR3 proporciona ventajas significativas con respecto a las anteriores tecnologías FBD DDR2:
  • Cada CPU dispone de un controlador de memoria integrado. Las transacciones de memoria ya no deben transferirse entre la CPU y otros dispositivos para alcanzar la RAM. 
  • La memoria DDR3 ofrece un mayor ancho de banda y un menor consumo de energía comparada con las anteriores tecnologías FBD DDR2.

Los procesadores Intel Xeon serie 3400 admiten dos tipos de memoria DDR3:
  • UDIMM: DIMM sin búfer
  • RDIMM: DIMM registrada
El registro permite que los RDIMM funcionen a mayores frecuencias y admitan más DIMM dentro de un canal de memoria.

Comparación entre las memorias
UDIMMRDIMM
¿Registrado o búfer?No
Frecuencias800, 1066, 1333 MHz800, 1066, 1333 MHz
Bloques admitidos1 o 21, 2 o 4
Capacidad por DIMM1, 2 and 4 GB1, 2, 4 or 8GB
Núm. máx. de DIMM por canal23
Tecnología DRAMx8x8
Sensor de temperatura
ECC
SDDC
Paridad de direccionesNo

Las RDIMM son una buena opción para los clientes que necesitan:
  • Una gran capacidad de memoria.
  • Un roadmap más abierto para la futura ampliación de memoria debido a la capacidad de conseguir tres DIMM por canal;

Las UDIMM son una buena opción para los clientes que necesitan:
  • una cantidad de memoria limitada;
  • ahorro en energía y costes.

Consideraciones de energía 
Debido a la función de registro, los RDIMM utilizan alrededor de 1 W de energía más por DIMM que los UDIMM equiparables. No obstante, el registro permitirá mejoras de rendimiento cuando la memoria se esté utilizando mucho y se haya ocupado más de un DIMM por canal. Tanto las UDIMM como las RDIMM utilizan menos energía que los DIMM de FBD DDR2.

Dependencia de la ocupación y velocidad 
Debido a las limitaciones tecnológicas, la compatibilidad con las frecuencias depende en cierta medida de los DIMM por canal y de los bloques utilizados en un DIMM. Por ejemplo, una restricción que presenta la ocupación es que cualquier DIMM de cuatro bloques se ocupará siempre en la ranura del extremo de esta combinación. Por lo demás, los bloques pueden mezclarse.

Tipo de DIMMDIMM 0DIMM 1DIMM 2Cantidad de DIMM80010661333
Un bloque1SíSíSí
Dos bloques1SíSíSí
UDIMMUn bloqueUn bloque2SíSíSí
Dos bloquesUn bloque2SíSíSí
Dos bloquesDos bloques2SíSíSí

Tipo de DIMMDIMM 0DIMM 1DIMM 2Cantidad de DIMM80010661333
Un bloque1SíSíSí
Dos bloques1SíSíSí
Cuatro bloques2SíSíNo
Un bloqueUn bloque2SíSíSí
Dos bloquesUn bloque2SíSíSí
Dos bloquesDos bloques2SíSíSí
RDIMMCuatro bloquesUn bloque2SíNoNo
Cuatro bloquesDos bloques2SíNoNo
Cuatro bloquesCuatro bloques2SíNoNo
Un bloqueUn bloqueUn bloque3SíNoNo
Dos bloquesUn bloqueUn bloque3SíNoNo
Dos bloquesDos bloquesUn bloque3SíNoNo
Dos bloquesDos bloquesDos bloques3SíNoNo

Sí: admitido

No: no admitido

Cada CPU dispone de un controlador de memoria integrado en el paquete de CPU con 2 canales de memoria.



Máximo ancho de banda
  • Primer banco completamente ocupado con DDR3 de 1.333 MHz por MCH
  • Máximo ancho de banda con 16 GB
  • Es necesario un procesador Intel Xeon serie 3430 o superior.
Capacidad máxima
  • Primer, segundo o tercer banco completamente ocupados.
  • Capacidad máxima de 32 GB (PowerEdge T310) con DDR3 de 800 MHz por MCH.
  • Capacidad máxima de 16 GB (PowerEdge T110 y R210) con DDR3 de 1.333 MHz por MCH.
  • Es necesario un procesador Intel Xeon serie 3430 o superior.
Rendimiento equilibrado
  • Primer y segundo banco completamente ocupados con DDR3 de 1.066 MHz por MCH.
  • Rendimiento equilibrado con 16 GB (PowerEdge T110 y R210).
  • Rendimiento equilibrado con 32 GB (PowerEdge T310); sin embargo, la velocidad de la memoria se reducirá a 800 MHz por MCH.
  • Es necesario un procesador Intel Xeon serie 3430 o superior.
Criterios de selección 
Al decidir entre las opciones de memoria, los criterios principales que debe valorar son precio, fiabilidad y potencia.
  • Fiabilidad = RDIMM
  • Potencia = UDIMM
  • Precio = UDIMM

Limitaciones de memoria 
DDR3 ECC sin búfer.
  • Admite hasta 2 DIMM por canal y 2 canales por procesador.
  • La velocidad con la máxima cantidad de memoria es de 1.333 MHz.
  • Los procesadores Core i3 530 y 540, Pentium G6950, Celeron G1101 y Xeon LV3406 sólo admiten memoria DDR3 sin búfer.
  • Los procesadores Pentium G6950, Celeron G1101 y Xeon LV3406 sólo admiten memoria DDR3 sin búfer de hasta 1.066 MHz.

DDR3 ECC registrada
  • Admite hasta 3 DIMM por canal y 2 canales por procesador.
  • La máxima velocidad de la memoria de 4 bloques es de 1.066 MHz. Al ocupar el segundo bloque de DIMM de los cuatro, la velocidad de la memoria se ralentizará a 800 MHz.
  • La velocidad con la máxima cantidad de memoria es de 800 MHz.
Paridad de direcciones
Es la capacidad de detectar un error en una única línea de dirección. Esta capacidad no se puede corregir.

Modo de ECC avanzado
Este modo emplea dos MCH y los "agrupa" para emular un DIMM de bus de datos de 128 bits. Esto se utiliza principalmente con el fin de lograr la corrección de datos de dispositivo simple (SDDC) para DIMM basados en tecnología de x8 DRAM. La corrección de datos de dispositivo simple (SDDC) se admite con DIMM basados en x4 en todos los modos de memoria. Un MCH queda totalmente sin utilizar y cualquier memoria que se instale en este canal generará un mensaje de advertencia durante la POST (autoprueba de encendido).

DDR3
Tecnología de memoria Double Data Rate 3 (doble velocidad de transferencia de datos 3).

DIMM
Dual Inline Memory Module (módulo de memoria en línea doble). Es el dispositivo de memoria instalado en cada ranura de la memoria. Se compone de varios chips de memoria y, en algunos casos, de registros, búferes o sensores de temperatura.

ECC
Este modo emplea dos MCH y los "agrupa" para emular un DIMM de bus de datos de 128 bits. Esto se utiliza principalmente con el fin de lograr la corrección de datos de dispositivo simple (SDDC) para DIMM basados en tecnología de x8 DRAM. La corrección de datos de dispositivo simple (SDDC) se admite con DIMM basados en x4 en todos los modos de memoria. Un MCH queda totalmente sin utilizar y cualquier memoria que se instale en este canal generará un mensaje de advertencia durante la POST (autoprueba de encendido).

MCH
Memory Controller Hub (concentrador de controlador de memoria).

Módulo de memoria optimizado
En este modo, los MCH funcionan de manera independiente uno del otro; por ejemplo, uno puede estar en estado inactivo, otro puede estar realizando una operación de escritura y el otro preparándose para una operación de lectura. La memoria se puede instalar en 1, 2 o 3 canales. Para obtener el máximo beneficio del rendimiento del modo de memoria optimizada, los tres canales por CPU deben estar ocupados. Esto quiere decir que algunas configuraciones de memoria "atípicas", como 3, 6 o 12 GB, proporcionarán el mejor rendimiento. Éste es el modo recomendado, a menos que se necesiten funciones RAS específicas.

Modo de duplicación
Uno de los modos de la memoria RAS. Este modo utiliza dos de los tres canales. Se realizan escrituras de datos idénticas en cada uno de los canales y la lectura se alterna entre los dos canales. Si se detectan errores de memoria excesivos en un canal, ese canal queda deshabilitado y el sistema usa el otro canal para futuras lecturas y escrituras. En esencia, es un backup de datos, que permite al sistema seguir en ejecución incluso durante un fallo de DIMM catastrófico en un canal. Dado que la memoria se copia entre DIMM, el sistema operativo solamente detectará e informará sobre la mitad de la memoria instalada.

Duplicación
La configuración del controlador de la memoria permite que se escriban los mismos datos en dos bancos de los DIMM. Los datos de cada banco son idénticos; de este modo, si un banco falla o tiene muchos errores de bits, hay un banco de datos de backup. El sistema operativo informará de la mitad de la memoria instalada.

Bloque
Número de áreas de datos de 64 bits.

RAS
Acrónimo del inglés Reliability, Availability and Serviceability (fiabilidad, disponibilidad y facilidad de mantenimiento).

SDDC
Los sistemas de memoria que utilizan Single Device Data Correction (corrección de datos de dispositivo simple) pueden detectar y corregir errores de varios bits que provengan de un único chip de memoria del DIMM.

Sensores de temperatura
Todos los DIMM cuentan con sensores de temperatura integrados. Esto permite al servidor supervisar condiciones en las que se excede la temperatura con la resolución de DIMM individuales. De este modo, se ofrece una gestión térmica y energética más eficiente.