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Samsung 860 EVO MZ-N6E500BW - Disque SSD - chiffré - 500 Go - interne - M.2 2280 - SATA 6Gb/s

Découvrez la fiabilité du numéro 1 du secteur avec le 860 EVO. Alimenté par la technologie V-NAND et un contrôleur basé sur un algorithme solide, le 860 EVO est spécialement conçu pour supporter les lourdes charges de travail que peuvent connaître les ord ...  Afficher plus
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Pièce du fabricant MZ-N6E500BW | Pièce Dell AA099349 | Code de commande aa099349 | Samsung
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Découvrez la fiabilité du numéro 1 du secteur avec le 860 EVO. Alimenté par la technologie V-NAND et un contrôleur basé sur un algorithme solide, le 860 EVO est spécialement conçu pour supporter les lourdes charges de travail que peuvent connaître les ordinateurs haut de gamme, les postes de travail et les NAS (serveur de stockage en réseau). Il assure une expérience durable aux gamers, aux informaticiens et aux créateurs de contenus.

  • Le SSD fiable par excellence
    Découvrez la gamme Samsung 860 EVO. Spécialement conçus pour une utilisation sur PC au quotidien, avec la technologie V-NAND et un contrôleur basé sur un algorithme solide, ces SSD aussi rapides que fiables sont disponibles dans plusieurs formats et capacités.
  • Une performance améliorée
    Le 860 EVO offre les meilleures performances de lecture et d'écriture, même en multitâche. Le 860 EVO peut offrir des hautes vitesses d'écriture grâce à la technologie intelligente TurboWrite, et des hautes vitesses de lecture.
  • Une endurance sans concession
    Stockez vos informations en tout sécurité et lisez des vidéos 4K et des données 3D en toute simplicité.
  • Une compatibilité exceptionnelle
    Bénéficiez d'une communication plus rapide et plus fluide avec votre système hôte. L'algorithme ECC et le contrôleur MJX génèrent des vitesses plus élevées.
  • Mise à jour firmware
    Recevez des notifications lorsqu'un firmware est déployé et installez facilement les mises à jour pour améliorer la performance, la stabilité et la compatibilité de votre SSD.
  • Comparez vos performances
    Vérifiez les vitesses de lecture et d'écriture de votre SSD et conservez les plus hautes performances.

Caractéristiques


Type
Disque SSD - interne - antichoc, prise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, eDrive, Samsung MJX Controller, 3-bit 3D V-NAND Technology
Capacité
500 Go
Cryptage matériel
Oui
Algorithme de chiffrement
AES 256 bits
Type de mémoire flash NAND
Cellule multi-niveaux 3D (MLC)
Format
M.2 2280
Interface
SATA 6Gb/s
Débit de transfert de données
600 Mo/s
Taille de la mémoire tampon
512 Mo
Caractéristiques
Antichoc, prise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, eDrive, Samsung MJX Controller, 3-bit 3D V-NAND Technology, S.M.A.R.T., AES 256 bits, IEEE 1667
Dimensions (LxPxH)
22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Poids
8 g
Garantie du fabricant
Garantie de 5 ans

Général


Type de périphérique
Disque SSD - interne
Capacité
500 Go
Cryptage matériel
Oui
Algorithme de chiffrement
AES 256 bits
Type de mémoire flash NAND
Cellule multi-niveaux 3D (MLC)
Format
M.2 2280
Interface
SATA 6Gb/s
Taille de la mémoire tampon
512 Mo
Caractéristiques
Antichoc, prise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, eDrive, Samsung MJX Controller, 3-bit 3D V-NAND Technology, S.M.A.R.T., AES 256 bits, IEEE 1667
Largeur
22.15 mm
Profondeur
80.15 mm
Hauteur
2.38 mm
Poids
8 g

Performances


Endurance SSD
300 TB
Débit de transfert du lecteur
600 Mo/s (externe)
Débit de transfert interne
550 Mo/s (lecture) / 520 Mo/s (écriture)
Écriture aléatoire 4 Ko maximum
88000 IOPS
Lecture aléatoire maximale 4 ko
97000 IOPS

Fiabilité


Fiabilité MTBF
1,500,000 heures

Expansion et connectivité


Interfaces
1 x SATA 6 Gb/s - M.2 Card
Baie compatible
M.2 2280

Alimentation


Consommation électrique
  • 2.5 Watt (moyenne)
  • 4 Watt (maximum)

Garantie du fabricant


Service et maintenance
Garantie limitée - 5 ans

Caractéristiques d’environnement


Température minimale de fonctionnement
0 °C
Température maximale de fonctionnement
70 °C
Résistance aux chocs (en fonctionnement)
1500 g @ 0.5 ms half-sine

Classements et évaluations



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