Général
Type de périphérique
Disque SSD - interne
Algorithme de chiffrement
AES 256 bits
Type de mémoire flash NAND
3 bits par cellule (TLC)
Interface
PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Taille de la mémoire tampon
2 Go
Caractéristiques
Prise en charge TRIM, mode veille, Auto Garbage Collection Algorithm, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.
Performances
Débit de transfert interne
3500 Mo/s (lecture) / 3300 Mo/s (écriture)
Lecture aléatoire 4 Ko
19000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko
62000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko maximum
560000 IOPS
Lecture aléatoire maximale 4 ko
620000 IOPS
Fiabilité
Fiabilité MTBF
1,500,000 heures
Expansion et connectivité
Interfaces
PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Alimentation
Consommation électrique
- 6 Watt (moyenne)
- 9 Watt (maximum)
- 30 mW (max. veille)
Divers
Normes de conformité
IEEE 1667
Garantie du fabricant
Service et maintenance
Garantie limitée - 5 ans
Caractéristiques d’environnement
Température minimale de fonctionnement
0 °C
Température maximale de fonctionnement
70 °C
Résistance aux chocs (en fonctionnement)
1500 g @ 0.5 ms half-sine
