Ayuda para elegir: memoria

• La 13.ª generación de servidores PowerEdge es extremadamente modular por naturaleza, y ahora puede elegir el tipo y la cantidad exacta de DIMM para su sistema.
• A fin de configurar la memoria del sistema para lograr el rendimiento óptimo, tenga en mente estas prácticas recomendadas:

1. Ocupe todos los canales de memoria uniformemente con DIMM del mismo bloque, tamaño y velocidad. Para las situaciones que exigen combinar tamaños de DIMM, todos los módulos de memoria deben seleccionarse en función de la misma estructura de bloques y todos los canales de memoria deben ocuparse con una combinación idéntica de tipos de DIMM.
2. Elija el procesador adecuado para admitir la frecuencia de la memoria prevista. Por ejemplo, si la carga de trabajo requiere una velocidad de memoria de 2400 MT/s, seleccione un modelo de procesador que admita dicha velocidad.
3. En la mayoría de las configuraciones del sistema, las configuraciones de memoria de 1 DIMM por canal (DPC) y 2 DPC ofrecen un mejor rendimiento que 3 DPC, puesto que se producirá una reducción en esta frecuencia de memoria cuando todas las ranuras de un canal de memoria determinado estén ocupadas.
4. Elija el modo Memory Optimized (Memoria optimizada) de funcionamiento de memoria, que forma parte del perfil del sistema, en lugar del modo Advanced ECC (ECC avanzado) debido a las importantes penalizaciones de rendimiento implícitas al ejecutar la memoria en este modo RAS. 
5. Elija LRDIMM si necesita obtener capacidad y rendimiento máximos de la memoria. Elija RDIMM para plantear un enfoque equilibrado de coste, rendimiento y capacidad de memoria. Elija UDIMM si usar menos energía es más importante que la capacidad.
Tipo de configuración de la memoria
Reduzca la pérdida de datos y mantenga su sistema en línea y en funcionamiento con características de fiabilidad, disponibilidad y facilidad de mantenimiento (RAS) para el almacenamiento y los servidores Dell como las siguientes:

High-reliability profile (Perfil de alta fiabilidad): contribuye a potenciar la fiabilidad de la memoria a partir de un perfil con capacidad de selección que ajusta los parámetros para reducir los fallos asociados a la velocidad, la temperatura, la tensión y las frecuencias de actualización. El perfil de alta fiabilidad produce un impacto mínimo en el consumo de energía y en el rendimiento.

Memory mirroring (Duplicación de memoria) : cuenta con 2 canales de memoria adyacentes configurados para escribir los mismos datos en cada canal. Si uno de los canales de memoria falla o detecta un error, el otro canal sigue transmitiendo datos. Constituye una protección excelente en los sistemas que deban presentar un funcionamiento ininterrumpido, aunque reduce la capacidad de memoria a la mitad, duplica el coste por gigabyte y puede incrementar el consumo de energía.

Memory sparing (Memoria de reserva) : puede reducir el tiempo de inactividad provocado por errores recuperables, ya que asigna un bloque (área de datos ancha de 64 bits en un DIMM) por canal que sirve de reserva. Si se produce un error recuperable en un bloque o en un canal, se mueve al bloque de reserva mientras el sistema operativo está en ejecución. Esto impide que el error termine causando un fallo. La memoria de reserva reduce la capacidad de memoria en un bloque por canal e incrementa el coste por gigabyte.

Tipo de DIMM
Elija entre 2 tipos diferentes de DIMM o módulo de memoria en línea doble, capaces de satisfacer sus necesidades en función de cómo prioriza la fiabilidad, disponibilidad y facilidad de mantenimiento (RAS) y el consumo de energía.

Dell ofrece compatibilidad con 3 tipos de DIMM en la 13.ª generación de servidores:

  • RDIMM (DIMM registrado): ofrece opciones de mayor capacidad y características RAS avanzadas.
  • LRDIMM (DIMM de carga reducida): proporciona la capacidad máxima, pero conlleva un consumo de energía mayor.
  • UDIMM (DIMM sin búfer): ofrece baja latencia y baja densidad.

El RDIMM
, o memoria registrada, es el tipo de DIMM de uso más común y ofrece la mejor combinación de opciones de estructura de bloques, capacidad y frecuencia. Proporciona integridad de señal alta, con comprobación de paridad para detectar las direcciones o los comandos inadecuados, y rendimiento mejorado, orientado a las cargas de trabajo densas.


RDIMM
(un bloque y bloque doble)

  • Frecuencia máxima de 2400 MT/s
  • Frecuencia máxima de 1866 MT/s con el uso de 3 DIMM por canal
  • Capacidad máxima de 32 GB por DIMM
  • Capacidad máxima del sistema de 768 GB


El LRDIMM,
o memoria de carga reducida, utiliza un búfer para reducir la carga de memoria a una carga única en todas las señales DDR, lo que aporta mayor densidad.

LRDIMM

  • Frecuencia máxima de 2400 MT/s
  • Frecuencia máxima de 2133 MT/s con el uso de 3 DIMM por canal
  • Capacidad máxima de 128 GB por DIMM
  • Capacidad máxima del sistema de 3 TB

El UDIMM
es un DIMM sin búfer de baja densidad y baja latencia que no incluye un chip de búfer o registro. Los UDIMM se utilizan generalmente en aplicaciones que requieren la menor latencia posible.

UDIMM (un bloque y bloque doble)

  • Frecuencia máxima de 2400 MT/s
  • Capacidad máxima de 16 GB por DIMM
  • Capacidad máxima del sistema de 64 GB

Velocidad del DIMM

Hay una sola opción de velocidad para DDR4.
  • 2400 MT/s: los DIMM se ejecutarán a 1,2 voltios.

Características RAS

Opciones de características de fiabilidad, disponibilidad y facilidad de mantenimiento (RAS) ofrecidas en la 13.ª generación de servidores:
  • Memory Optimized (Memoria optimizada): características RAS que sirven de base para obtener la mayor optimización del rendimiento.
  • Advanced ECC (ECC avanzado): característica RAS que amplía la corrección de errores de dispositivo simple multibit a DRAM x8.
  • Memory Sparing (Memoria de reserva): característica RAS que asigna un bloque por canal a modo de reserva para reducir la probabilidad de que los errores recuperables se transformen en errores sin posibilidad de corrección, aunque se reduce la capacidad de memoria.
  • Memory Mirroring (Duplicación de memoria): característica RAS con memoria pareada que proporciona tolerancia ante fallos de transmisión y datos, aunque la capacidad de memoria disponible se reduce en un 50 %.
  • Dell Fault Resilient Memory (FRM): esta tecnología patentada de Dell permite a los clientes de la 13.ª generación de servidores PowerEdge que disponen de compatibilidad con VMware vSphere 5.5 maximizar la memoria de servidor disponible e incrementar a su vez la protección ante fallos de memoria en el hipervisor y en las aplicaciones esenciales.
Frecuencia y velocidad de DIMM

La memorias ofrecidas para la 13.ª generación de servidores Dell PowerEdge se basan en el estándar de doble velocidad de transmisión de datos de tipo 4 (DDR4) que funciona a 1,2 voltios.

Velocidades de memoria de la gama PowerEdge por tipo y carga

 Tipo de DIMM  Bloques de DIMMCapacidad Tensión nominal y velocidad de DIMM Memoria de 13.ª generación (EP, 2/3
plataformas DPC)
DPC: número de DIMM por canal
 1 DPC2 DPC 3 DPC

 RDIMM

Un bloque/bloque doble 

 4, 8, 16 y 32 GB

DDR4 (1,2 V), 2133 

2133

 2133

 1866

 LRDIMM

Bloque cuádruple 

32 GB, 64 GB 

DDR4 (1,2 V), 2133 

2133 

 2133

 1866

 UDIMM

Un bloque/bloque doble 

4, 8 y 16 GB 

DDR4 (1,2 V), 2133

2133 

2133 

 N/D

RDIMM 

Un bloque/bloque doble 

 4, 8, 16 y 32 GB 

DDR4 (1,2 V), 2400 

2400 

2400

 1866

 LRDIMM

Bloque cuádruple 

64 GB 

DDR4 (1,2 V), 2400 

2400 

 2400

 2133

 LRDIMM

Bloque óctuple 

128 GB 

 DDR4 (1,2 V), 2400

2400

2400 

 2133

 UDIMM

 Un bloque/bloque doble

 4, 8 y 16 GB

DDR4 (1,2 V), 2400 

2400

 2400

 N/D



Tabla comparativa de DIMM

En la siguiente tabla, se muestra la comparación entre los diferentes tipos de DIMM.

 

     RDIMM

LRDIMM

 UDIMM

Registrado/Con búfer

  Solo dirección

Dirección y datos

 N/D

Frecuencia/Velocidad

2133 MT/s y 2400 MT/s

2133 MT/s y 2400 MT/s

 2133 MT/s y 2400 MT/s

Bloques admitidos

1 o 2

Solo 4

 1 o 2

Capacidad por DIMM

4, 8, 16 y 32 GB

32 GB (solo 2133 MT/s) y 64 GB

 4, 8 y 16 GB

Número máximo de DIMM por canal

3

3

 2

Tecnología RAM dinámica (DRAM)

x4 y x8

x4

 x8

Sensor de temperatura

sí

sí

sí 

Código de corrección de errores (ECC)

sí

sí

sí 

Corrección de datos de dispositivo simple (SDDC)

sí
 (x8 requiere modo Advanced ECC [ECC avanzado])

sí

 sí

Advanced ECC (ECC avanzado)

sí

sí

sí 

Paridad de direcciones

sí

sí

sí