Memory Configuration Rules for 11G systems - KB Article - 355689

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Normas de configuración de memoria para sistemas 11G

Normas de configuración de memoria para sistemas 11G

Arquitectura de memoria

  • Tres controladoras de memoria en cada CPU.
  • Cada controladora de memoria conduce su propio canal.
  • Un máximo de 3 módulos DIMM por canal de memoria
    • Tres ranuras por canal (18 módulos DIMM)- R710 y M710
    • Dos ranuras por canal (12 módulos DIMM) - R610, T610 y M610
  • Dos modos base:
    • Memoria optimizada (Tabla 1)
      Hasta 3 canales utilizados (máximo rendimiento)
      Sólo tecnología x4 de limitación de SDDC (corrección de datos de dispositivo único)
    • ECC avanzada
      Dos de tres canales utilizados
      Compatibilidad completa con SDDC
  • Un modo RAD
    • Duplicación

Normas de configuración de memoria

  • Los módulos DIMM deben coincidir (capacidad, "rank", tipo) en todos los canales (Tabla 1)
    • Por ejemplo, un módulo RDIMM de 1 GB en un A1 implica que A2 y A3 también necesitan ser módulos RDIMM de 1 GB. A4 (con A5 y A6) podría tener una capacidad diferente.
      La excepción es si un canal está vacío.
    • La frecuencia del módulo DIMM y el proveedor especificados no deberían importar.
      El BIOS establecerá el sistema a la velocidad común más rápida y a la latencia CAS de los módulos DIMM.
      Nota: Cada configuración actual de fábrica utiliza el mismo tipo de DIMM; por lo tanto, esto se refiere a las futuras configuraciones o actualizaciones del cliente.

  • Los módulos DIMM deben coincidir en todas las CPU.
  • Los módulos RDIMM y UDIMM no deben combinarse nunca.
    El sistema deja de responder antes del inicio.
  • No es posible instalar más de dos UDIMM por canal.
  • Cada canal cuenta con una compatibilidad limitada con 8 "ranks" (Tabla 2)
  • Si se instala un módulo DIMM de cuatro "ranks" (Tabla 2)
    • Debe ser el primero en el canal (es decir, los conectores de pestañas blancas).
    • Sólo es posible instalar un módulo DIMM en ese canal independientemente de la cantidad de "ranks" (puede ser sencillo, doble o de cuatro).
  • La velocidad de la memoria de cada canal depende de la configuración de la memoria (Tabla 2):
    • Para módulos de memoria sencillos o dobles:
      • Un módulo de memoria por canal admite hasta 1333 MHZ.
      • Dos módulos de memoria por canal admiten hasta 1067 MHZ.
      • Tres módulos de memoria por canal se limitan a 800 MHZ, independientemente de la velocidad del módulo de memoria.
    • Para los módulos de memoria de cuatro "ranks":
      • Un módulo de memoria por canal admite hasta 1067 MHZ.
      • Dos módulos de memoria por canal se limitan a 800 MHZ, independientemente de la velocidad del módulo de memoria.

1 módulo DIMM por canal 2 módulos DIMM por canal 3 módulos DIMM por canal
Memoria optimizada
1 canal utilizado (sólo depuración) A1
2 canales utilizados (no es una configuración admitida de fábrica) A1, A2 A1,A2

A4, A5

A1, A2

A4, A5

A7, A8

3 canales utilizados A1, A2, A3 A1, A2, A3

A4. A5. A6

A1. A2, A3

A4, A5, A6

A7, A8, A9

Duplicación o ECC avanzada
2 canales utilizados A2, A3 A2, A3

A5, A6

A2, A3

Tabla 1: Instalación de memoria

Tipo de DIMM DIMM 0 DIMM 1 DIMM 2 Cantidad de módulos DIMM 800 MHz 1066 MHz 1333 MHz
UDIMM Sencillo (SR) 1
Doble (DR) 1
Sencillo (SR) Sencillo (SR) 2
Sencillo (SR) Doble (DR) 2
Doble (DR) Doble (DR) 2
RDIMM Sencillo (SR) 1
Doble (DR) 1
Cuatro (QR) 1
Sencillo (SR) Sencillo (SR) 2
Sencillo (SR) Doble (DR) 2
Doble (DR) Doble (DR) 2
Cuatro (QR) Sencillo (SR) 2
Cuatro (QR) Doble (DR) 2
Cuatro (QR) Cuatro (QR) 2
Sencillo (SR) Sencillo (SR) Sencillo (SR) 3
Sencillo (SR) Sencillo (SR) Doble (DR) 3
Sencillo (SR) Doble (DR) Doble (DR) 3
Doble (DR) Doble (DR) Doble (DR) 3
Compatible
No compatible

Nota: Para combinar módulos de cuatro "ranks" (QR) con DIMM sencillos o de doble "rank" (SR/DR), el módulo de cuatro "ranks" (QR) debe estar en la ranura con el conector DIMM blanco.
No hay ningún requisito para el orden de los módulos DIMM de sencillos (SR) o dobles (DR).

Tabla 2: Velocidad e instalación de memoria con "ranks"



 
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Identificación del artículo: SLN106932

Última fecha de modificación: 11/12/2010 00:00


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