PowerEdge: Preguntas frecuentes sobre la unidad de estado sólido con servidores y almacenamiento.

Resumen: Las unidades de estado sólido de Dell Enterprise están desarrolladas para coincidir a la perfección con los sistemas Dell Enterprise y para proporcionar a los clientes un entorno óptimo de producción. ...

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Instrucciones

En este artículo, se proporciona una lista de preguntas frecuentes (FAQ) acerca de la unidad de estado sólido (SSD) Dell.


Índice:

  1. ¿Por qué usar SSD?
  2. ¿Por qué SSD Dell?
  3. ¿Cuáles son los tipos de SSD?
  4. ¿Cuáles son los mejores casos de uso y aplicaciones para las SSD?
  5. ¿Por qué motivo podría notar una disminución en el desempeño de escritura cuando comparo una unidad usada con una nueva?
  6. Retención de datos: Desconecté mi unidad SSD y la almacené. ¿Por cuánto tiempo puedo esperar que se conserven mis datos en la unidad sin necesidad de volver a enchufarla?
  7. ¿Qué es el sobreaprovisionamiento?
  8. ¿Qué es la nivelación de desgaste?
  9. ¿Qué es la recolección de elementos no utilizados?
  10. ¿Qué es el código de corrección de error (ECC)?
  11. ¿Qué es el factor de amplificación de escritura (WAF)?
  12. ¿Qué medidas se toman en las unidades SSD para limitar la probabilidad de dañar las celdas debido a escrituras en exceso?
  13. ¿Cómo se calcula el período de vida útil de una SSD?
  14. ¿Qué es TRIM UNMAP y es compatible con las unidades SSD de Dell Enterprise?
  15. ¿Cómo se mantiene la integridad de los datos en una SSD?
  16. ¿Cómo se corrigen las SSD?
  17. ¿Cuáles son los ajustes recomendados de las aplicaciones y del sistema operativo?
  18. ¿Qué es la administración de resistencia?
  19. ¿Qué garantía tienen las SSD de Dell?

Glosario:

Retención de datos:
La retención de datos es el período durante el cual una ROM sigue siendo legible con precisión. Es el tiempo durante el cual la celda puede mantener su estado programado cuando el chip no recibe alimentación. La retención de datos es sensible a la cantidad de ciclos de programar/borrar (P/E) ingresados en la celda flash y también depende del entorno externo. Una alta temperatura tiende a reducir la duración de la conservación. La cantidad de ciclos de lectura realizados también puede degradar la retención.
 
Ciclo de programar/borrar (P/E):
En la memoria flash NAND, el almacenamiento se consigue mediante transistores de puerta flotante que conforman puertas NAND. Como tal, el estado no programado de un bit es 1, mientras que la operación de programación inyecta carga en la puerta flotante y su bit resultante se convierte en 0. Con la operación contraria (borrar) se extrae la carga almacenada y se revierte el estado a 1. Las operaciones de borrado y programación causan inherentemente la degradación de la capa de óxido que aísla la puerta flotante. Esta es la razón de la vida útil finita de la memoria flash NAND (ciclos de programación/borrado de 30 000 a 1 millón para SLC por lo general; ciclos de programación/borrado de 2500 a 10 000 para MLC; ciclos de programación/borrado de 10 000 a 30 000 para eMLC).
 
Capa de traducción de flash (FTL):
La capa de traducción de flash es una capa de software que se utiliza en computación para soportar sistemas normales de archivos con memoria flash. FTL es una capa de traducción entre el sistema de archivos basado en sectores y NAND chips flash. Habilita el acceso al sistema operativo y al sistema de archivos NAND dispositivos de memoria flash como unidades de disco de acceso. Un FTL oculta la complejidad del flash, puesto que proporciona una interfaz de bloque lógico al dispositivo flash. Dado que flash no soporta la sobreescritura de páginas flash en su lugar, un FTL asigna bloques lógicos a páginas flash físicas y borra bloques.
 
Metadatos:
Los metadatos se utilizan para la administración de la información o los datos almacenados en la memoria flash NAND . Por lo general, los metadatos incluyen una tabla de asignación de direcciones lógica a física de la información almacenada, información de los atributos de la información almacenada y cualquier otro dato que pueda ayudar en la administración de la información almacenada.
 
Pool virtual:
Un pool virtual es un grupo de NAND bloques borrados listos para ser programados.


1. ¿Por qué usar SSD?

A diferencia de las unidades de disco duro (HDD) que usan un plato giratorio para almacenar datos, las unidades de estado sólido (SSD) utilizan chips NAND de memoria de estado sólido. Los discos duros tienen varias piezas móviles mecánicas distintas, lo que hace que sean susceptibles al daño por manipulación. Las unidades de estado sólido no tienen piezas móviles y son menos susceptibles a daños por manipulación, incluso cuando se golpean durante el uso.
Las SSD ofrecen un rendimiento ultraalto I/O en operaciones por segundo (IOPS) y una baja latencia para aplicaciones de almacenamiento y servidor con uso intensivo de transacciones. Funcionan correctamente en sistemas con discos duros y reducen el costo total de propiedad (TCO) a través de un bajo consumo de energía y baja temperatura de funcionamiento.

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2. ¿Por qué SSD Dell?

Dell administra de cerca todos los pasos necesarios para proporcionar a sus clientes con las unidades de estado sólido de alta calidad necesarias para aplicaciones empresariales exigentes.

Esto incluye lo siguiente:

  • Calificación inicial del proveedor y pruebas de calidad continuas
  • Creación de firmware específico
  • Control de lista de materiales y evaluación extensa de confiabilidad
  • Certificaciones continuas de calidad de productos

Todas las unidades de estado sólido de Dell Enterprise están desarrolladas para coincidir a la perfección con los sistemas Dell Enterprise y para proporcionar a los clientes un entorno óptimo de producción. La industria de discos duros recientemente ha visto una consolidación de proveedores y una estandarización de las unidades. Este no ha sido el caso para las unidades de estado sólido. Hay muchos fabricantes de SSD y Dell no puede garantizar el nivel de funcionalidad o compatibilidad en servidores Dell si utiliza SSD no adquiridas a través de Dell.

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3. ¿Cuáles son los tipos de SSD?

Las SSD basadas en memoria flash generalmente demuestran latencias menores que las unidades de disco duro (HDD), lo que a menudo permite unos tiempos de respuesta más ágiles. Para las cargas de trabajo de lectura aleatoria, las SSD brindan un mayor rendimiento que los discos duros.
 
Flash basado en NAND

  • SLC, o celda de nivel individual, permite el almacenamiento de un bit de información por celda de memoria NAND. Una SLC NAND brinda capacidades de lectura y escritura relativamente rápidas, una alta resistencia y algoritmos de corrección de errores relativamente simples. Una SLC suele ser la tecnología NAND más costosa. Con unidades SLC, se espera que cada celda dure alrededor de 100 000 escrituras. Las lecturas son ilimitadas. Las unidades SLC son más apropiadas para entornos empresariales debido a su durabilidad. Suelen tener un costo prohibitivo para aplicaciones de consumidor.
  • La tecnología MLC, o celda multinivel, en general es menos sólida que la SLC, ya que existen dos bits almacenados en cada celda. Si una celda se pierde, se pierden dos bits. Con unidades MLC, cada celda está preparada para durar entre 3000 y 5000 escrituras. Las unidades están disponibles con capacidades mayores y son menos costosas. Las SSD basadas en MLC se utilizan en aplicaciones empresariales que implementan técnicas inteligentes de administración, como el sobreprovisionamiento y la administración de resistencia (definida más adelante en el documento).
  • eMLC, o empresa MLC es una variante de MLC tecnología que se recolecta de la porción de la más alta calidad de la oblea NAND y se programa de manera exclusiva para aumentar los ciclos de borrado. eMLC alcanza niveles de resistencia de 30 000 ciclos de escritura, mientras que algunos de los MLC más nuevos solo tienen 3000 ciclos de escritura. eMLC compensa para permitir esta resistencia renunciando a la retención de datos. eMLC soluciona ese problema alargando el ciclo de programación de página interna de los chips de memoria flash (tProg), que crea una escritura de datos mejor y más duradera, pero ralentiza el rendimiento de escritura. Dado que las SSD eMLC están en un punto intermedio entre MLC y SLC en relación con el rendimiento de escritura, su precio generalmente oscila entre ambos tipos. Mediante la adición de técnicas avanzadas de administración de resistencia, esta tecnología se puede usar exitosamente en aplicaciones empresariales de propósito general.

Interfaz basada en host

  • SSD SATA: Las SSD SATA están basadas en la interfaz SATA estándar de la industria. Las SSD SATA proporcionan un rendimiento razonable para los servidores empresariales.
  • SSD SAS: Las SSD SAS están basadas en la interfaz SAS estándar de la industria. Las SSD SAS combinan mayor confiabilidad, integridad de datos y recuperación de fallas de datos, lo que las hace útiles para aplicaciones empresariales.

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4. ¿Cuáles son los mejores casos de uso y aplicaciones para las SSD?

Las SSD son ideales para aplicaciones que requieren el mayor rendimiento. Las aplicaciones de uso intensivo de I/O, como las bases de datos, la extracción de datos, el almacenamiento de datos, el análisis, el intercambio, la informática de alto rendimiento, la virtualización de servidores, los servidores web y los sistemas de correo electrónico, son las más idóneas para el uso de una SSD.

  • SSD SLC es la tecnología preferida para aplicaciones de escritura y lectura en caché, en las cuales las lecturas son aleatorias y las escrituras son intensivas.
  • Las SSD eMLC son cada vez más la opción preferida cuando se busca manejar tanto lecturas como escrituras y son especialmente ventajosas cuando hay poco presupuesto.
  • SSD MLC es la solución más rentable para aplicaciones de lectura intensiva, como acceder a una tabla de base de datos.

Tipos de SSD, aplicaciones, casos de uso

Tecnología Flash Tipo de aplicación Aplicaciones
MLC/eMLC Computación del cliente y basada en la Web Interfaz web front-end
Medios de streaming
Aplicaciones web
Correo electrónico/mensajería
Colaboración
eMLC/SLC DSS/HPC/
OLTP/almacenamiento
OLTP/Almacenamiento
HPC/Superinformática
Minería/almacenamiento de datos
Infraestructura
Escritorio virtual
OLTP/base de datos/procesamiento comercial
Almacenamiento de datos en caché

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5. ¿Por qué motivo podría notar una disminución en el desempeño de escritura cuando comparo una unidad usada con una nueva?

Las unidades SSD están diseñadas para su uso en entornos que realizan más lecturas que escrituras. Para que estas unidades puedan durar un período específico de garantía, las unidades MLC tienen un mecanismo de administración de resistencia integrado en las unidades. Si la unidad proyecta que la vida útil será menor que la garantía, la unidad utilizará un mecanismo de regulación para ralentizar la velocidad de las escrituras.

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6. Desconecté mi unidad SSD y la almacené. ¿Por cuánto tiempo puedo esperar que se conserven mis datos en la unidad sin necesidad de volver a enchufarla?

Depende de la frecuencia con la que se utilizó la memoria flash (ciclo P/E utilizado), del tipo de memoria flash y de la temperatura de almacenamiento. En MLC y SLC, esto puede ser tan bajo como 3 meses y, en el mejor de los casos, puede ser de más de 10 años. La conservación depende fuertemente de la temperatura y la carga de trabajo.

Tecnología NAND Conservación de datos en ciclo P/E evaluado
SLC Seis meses
eMLC Tres meses
eMLC 3 meses


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7. ¿Qué es el sobreaprovisionamiento?

El sobreaprovisionamiento es una técnica utilizada en el diseño de SSD flash y tarjetas de medios flash. Mediante una capacidad adicional de memoria (a la cual el usuario no puede acceder), la controladora de SSD puede crear con más facilidad bloques borrados previamente y listos para su uso en el pool virtual. El sobreaprovisionamiento mejora:

  • Rendimiento de escritura e IOPS
  • Confiabilidad y resistencia

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8. ¿Qué es la nivelación de desgaste?

NAND es una memoria flash susceptible al desgaste debido a ciclos repetidos de programación y borrado que se realizan comúnmente en aplicaciones de almacenamiento de datos y sistemas que usan la Capa de traducción de flash (FTL). Programar y borrar constantemente en la misma ubicación de memoria a la larga desgasta esa porción de la memoria y hace que deje de ser válida. Como resultado, la NAND memoria flash suele tener una vida útil limitada. Para evitar que se produzcan situaciones como estas, se implementan algoritmos especiales dentro de la SSD llamados nivelación de desgaste. Como el término sugiere, la nivelación de desgaste proporciona un método para distribuir ciclos de programación y borrado uniformemente en todos los bloques de memoria dentro de la SSD. Esto evita ciclos continuos de programación y borrado en el mismo bloque de memoria, lo que da como resultado una mayor vida útil para la memoria flash NAND en general.

Hay dos tipos de nivelación de desgaste: dinámica y estática. El algoritmo de desgaste dinámico garantiza que los ciclos de programación y borrado de datos se distribuyan uniformemente en todos los bloques dentro de la memoria flash NAND. El algoritmo es dinámico porque se ejecuta cada vez que los datos en el búfer de escritura de la unidad se vacían y escriben en la memoria flash. La nivelación dinámica de desgaste por sí sola no puede garantizar que el desgaste de todos los bloques esté nivelado al mismo ritmo. También existe el caso especial en el que los datos se escriben y almacenan en flash durante largos períodos de tiempo o de forma indefinida. Mientras que otros bloques se cambian, borran y agrupan, estos bloques permanecen inactivos en el proceso de nivelación de desgaste. Para garantizar que el desgaste de todos los bloques está nivelado al mismo ritmo, se implementa un algoritmo secundario de nivelación de desgaste denominado nivelación estática de desgaste. La nivelación estática del desgaste aborda los bloques que están inactivos y tienen datos almacenados en ellos.

Las unidades SSD de Dell incorporan algoritmos de nivelación de desgaste estática y dinámica para asegurarse de que los bloques NAND se desgasten de manera uniforme para una mayor expansión de la vida útil de la SSD.

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9. ¿Qué es la recolección de elementos no utilizados?

La memoria flash está compuesta de celdas que almacenan uno o más bits de datos cada una. Estas celdas se agrupan en páginas, las cuales son las ubicaciones discretas más pequeñas en las que se puede escribir datos. Las páginas se recopilan en bloques, los cuales son las ubicaciones discretas más pequeñas que se pueden borrar. La memoria flash no se puede sobrescribir directamente como en un disco duro; primero, se debe borrar. Por lo tanto, aunque se puede escribir directamente una página vacía en un bloque, no se puede sobrescribir sin borrar primero un bloque completo de páginas.

A medida que se utiliza la unidad, los datos cambian y los datos modificados se escriben en otras páginas del bloque o en bloques nuevos. Las páginas antiguas (obsoletas) se marcan como no válidas y se pueden recuperar mediante el borrado de todo el bloque. Sin embargo, para hacer esto, se debe mover a otro bloque cualquier información aún válida en todas las otras páginas ocupadas en el bloque. El requisito para reubicar datos válidos y, a continuación, borrar los bloques antes de escribir nuevos datos en el mismo bloque genera amplificación de escritura; la cantidad total de escrituras necesarias en la memoria flash es mayor que lo solicitado originalmente por el equipo host. También hace que la SSD realice operaciones de escritura a una velocidad más lenta cuando está ocupada moviendo datos de bloques que deben borrarse y, al mismo tiempo, escribiendo nuevos datos desde la computadora host.

Las controladoras de SSD utilizan una técnica llamada recolección de elementos no utilizados para liberar bloques escritos anteriormente. Este proceso también consolida las páginas mediante la trasferencia y reescritura de páginas de varios bloques para llenar menos bloques nuevos. Luego, los bloques antiguos se borran para proporcionar espacio de almacenamiento para nuevos datos entrantes. Sin embargo, ya que solo se puede escribir en los bloques flash una cierta cantidad de veces antes de fallar, también es necesario nivelar el desgaste de toda la SSD para evitar el desgaste prematuro de algún bloque.

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10. ¿Qué es el código de corrección de error (ECC)?

El deterioro de la celda de memoria flash con el tiempo y las interrupciones de páginas vecinas de memoria flash pueden conducir a errores aleatorios de bits en los datos almacenados. Aunque las posibilidades de dañar alguno de los bits de datos son pequeñas, la vasta cantidad de bits de datos en un sistema de almacenamiento hace que la probabilidad de daños a los datos sea una posibilidad real.
 
Se utilizan códigos de corrección y detección de errores en los sistemas de almacenamiento de memoria flash para proteger los datos de posibles daños. Las unidades SSD de Dell están equipadas con el algoritmo ECC más avanzado de la industria para alcanzar un nivel empresarial de tasa de errores de bit no corregibles de 10-17.

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11. ¿Qué es el factor de amplificación de escritura (WAF)?

El factor de amplificación de escritura es la cantidad de datos que el controlador de SSD tiene que escribir en relación con la cantidad de datos que la controladora de host desea escribir. Un factor de amplificación de escritura de 1 es perfecto, pues significa que deseaba escribir 1 MB y la controladora de SSD escribió 1 MB. Un factor de amplificación de escritura mayor que 1 no es deseable, pero es un hecho lamentable de la vida. Cuanto mayor sea su amplificación de escritura, más rápido se desgasta la unidad y menor es su rendimiento.

Datos escritos en la memoria flash
--------------------------------------- = Amplificación de escritura
Datos escritos por el host

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12. ¿Qué medidas se toman en las unidades SSD para limitar la probabilidad de dañar las celdas debido a escrituras en exceso?

Dell utiliza los siguientes métodos para evitar dañar las celdas de memoria flash y extender la vida útil de la unidad SSD:

  • Sobreaprovisionamiento: El proceso de aumentar el área adicional en una unidad de estado sólido. Aumenta el conjunto de recursos disponibles “listos para su escritura”, lo cual reduce la amplificación de escritura. Dado que se requiere menos transferencia de datos en segundo plano, el rendimiento y la resistencia aumentan.
    Por ejemplo, una unidad con 100 GB de capacidad útil tendría una capacidad oculta adicional de 28 GB. La capacidad restante se utilizará para la nivelación de desgaste.
  • Nivelación de desgaste: Las unidades SSD de Dell utilizan técnicas de nivelación estática y dinámica de desgaste. La nivelación de desgaste permite que los datos se asignen a diferentes ubicaciones de la unidad para evitar escribir frecuentemente en la misma celda.
  • Recopilación de elementos no utilizados: Las unidades SSD de Dell están equipadas con una técnica avanzada y sofisticada de recolección de elementos no utilizados. El “Proceso de recolección de elementos no utilizados” elimina el requisito de realizar borrados de todo el bloque antes de cada escritura. Acumula datos marcados para borrar como “basura” y realiza un borrado de bloque completo como reclamación de espacio con el fin de volver a utilizar el bloque, lo que a menudo realiza como proceso en segundo plano cuando la unidad no está ocupada con I/O.
  • Almacenamiento de datos en buffer y en caché: Las unidades SSD de Dell usan DRAM para almacenar datos en buffer y caché a fin de minimizar la amplificación de escritura que asegura la probabilidad de celdas dañadas debido a escrituras excesivas.

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13. ¿Cómo se calcula el período de vida útil de una SSD?

La vida útil de una SSD se rige por tres parámetros clave; tecnología flash NAND de SSD, capacidad de la unidad y modelo de uso de la aplicación. Por lo general, se puede utilizar la siguiente calculadora de ciclo de vida para determinar cuánto tiempo durará la unidad.

Vida [años] = (Resistencia [ciclos P/E] * Capacidad [física, bytes] * Factor de sobreprovisionamiento)/(Velocidad de escritura [bps] * Ciclo de trabajo [ciclos] * Porcentaje de escritura * WAF)/(36 *24* 3600)

Parámetros:

  • Resistencia, NAND P/E Ciclo: 100 000 SLC, 30 000 eMLC, 3000 MLC
  • Capacidad: capacidad utilizable de la SSD
  • Factor de sobreaprovisionamiento: porcentaje NAND de sobreaprovisionamiento
  • Velocidad de escritura:

Velocidad de escritura en bytes por segundo:

  • Ciclo de trabajo: ciclo de trabajo de uso
  • Porcentaje de escritura: Porcentaje de escrituras durante el uso de la SSD
  • WAF: factor de amplificación de escritura de controladora calculada según caso de uso de aplicación

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14. ¿Qué es TRIM/UNMAP y es compatible con las unidades SSD de Dell Enterprise?

Ciertos sistemas operativos admiten la función TRIM, que traduce los archivos eliminados a la dirección de bloque lógico (LBA) asociada en el dispositivo de almacenamiento (SSD). En SATA, el comando también se denomina TRIM, mientras que en SAS, el comando se denomina UNMAP. La variable TRIM/UNMAP notifica a la unidad que ya no necesita datos en ciertas LBA, lo que libera varias páginas NAND .

Para que funcione, el comando TRIM/UNMAP debe ser compatible con el sistema operativo, la unidad y la controladora. El comando TRIM/UNMAP podría causar un mayor desempeño de SSD desde los datos reducidos necesarios para la reescritura durante la recolección de elementos no utilizados y el mayor espacio libre resultante en la unidad. Las unidades Dell Enterprise de envío actuales tienen un rendimiento y una resistencia lo suficientemente altos, por lo que todavía no admiten estos comandos, incluso si el sistema operativo es compatible con ellos. Estas funciones se están investigando para ofertas posteriores de SSD de Dell.

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15. ¿Cómo se mantiene la integridad de los datos en una SSD?

La integridad de los datos de las unidades SSD de Dell se mantiene usando los métodos siguientes:

  • ECC sólida
  • Protección CRC de ruta de datos
  • Múltiples metadatos y copia de firmware
  • Protección de suma de comprobación de metadatos
  • Diseño robusto de riel de voltaje para garantizar alimentación estable a la memoria flash NAND

Protección contra pérdida repentina de alimentación
En comparación con los discos duros, las unidades de estado sólido son más resistentes a los golpes, consumen menos energía, ofrecen tiempos de acceso más rápidos y entregan un mejor rendimiento de lectura. Sin embargo, algunos diseños de SSD tienen problemas de daños a los datos y al sistema de archivo, si sufren una pérdida repentina de alimentación. Un mecanismo eficaz de protección de datos contra fallas de alimentación debe operar antes y después de una interrupción de la energía para poder proporcionar una protección completa de los datos.
En las SSD Dell Enterprise se incluyen funciones de protección de datos ante fallas de alimentación de hardware y firmware. Incluyen un circuito de detección de falla de alimentación que monitorea el suministro de voltaje y envía una señal a la controladora de SSD si el voltaje cae por debajo de un umbral predefinido. Esto provocará que la SSD se desconecte de la alimentación de entrada e inicie los pasos necesarios para mover los datos temporales de búfer y los metadatos al flash NAND. Se implementan circuitos y condensadores integrados de retención de alimentación a fin de proporcionar suficiente potencia para esta operación. El condensador de retención recibe sobreaprovisionamiento de capa múltiple para garantizar suficiente alimentación para la vida útil de la unidad. 

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16. ¿Cómo se corrigen las SSD?

Dichas unidades se pueden corregir sobreescribiendo varias veces la capacidad completa de la unidad. Dell está investigando las funciones de borrado seguro y autocifrado en las SSD SED (unidad con autocifrado) para versiones futuras. Estas técnicas permiten una forma rápida y eficiente para corregir una SSD. 

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17. ¿Cuáles son los ajustes recomendados de las aplicaciones y del sistema operativo?

  • I/O alineadas: Las I/O alineadas pueden tener un gran impacto en el desempeño y la resistencia de la SSD. Las I/O alineadas para una SSD proporcionan eficiencia al dispositivo a fin de administrar las escrituras NAND y también pueden aumentar la resistencia de la SSD mediante la reducción de la cantidad de operaciones de lectura/modificación/escritura que provocan escrituras adicionales en segundo plano en la SSD.
  • Profundidades de fila variables: la profundidad de fila es un factor importante para los sistemas y los dispositivos de almacenamiento. Se pueden obtener eficiencias mediante el aumento de la profundidad de la cola para los dispositivos SSD, lo que permite un manejo más eficiente de las operaciones de escritura y también puede ayudar a reducir la amplificación de escritura que puede afectar la vida útil de la SSD.
  • Utilice TRIM: Consulte la sección 15.
  • Desactivar la desfragmentación de discos: en una unidad magnética, la desfragmentación organiza la unidad de tal manera que los sectores de datos estén cerca uno de otro para mejorar el desempeño. Sin embargo, en las unidades de estado sólido, tener los datos juntos no hace ninguna diferencia, ya que las SSD pueden acceder a los datos a la misma velocidad sin importar dónde se encuentren. Por lo tanto, la desfragmentación de SSD no es necesaria y puede causar un desgaste NAND adicional innecesario.
  • Desactivar la indexación: Por lo general, la indexación acelera las búsquedas en el disco duro. Sin embargo, no representa una ventaja en las SSD. Ya que la indización continuamente trata de mantener una base de datos de los archivos en el sistema y sus propiedades, esto provoca una gran cantidad de escrituras pequeñas, lo cual no es el fuerte de las SSD. Sin embargo, las SSD destacan en procesos de lectura y, por ende, la unidad puede acceder a los datos rápidamente, incluso sin un índice.

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18. ¿Qué es la administración de resistencia?

El uso de un algoritmo de administración de resistencia garantiza que hayan suficientes ciclos de programación/borrado (P/E) disponibles para el período de garantía de la unidad. El firmware limita las escrituras si una unidad ya ha tenido demasiadas escrituras. No obstante, los clientes rara vez experimentan una baja de rendimiento cuando se utiliza una SSD en la aplicación prevista.

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19. ¿Qué garantía tienen las SSD de Dell?

  1. SSD SATA, SAS, NVMe (U.2): las unidades utilizadas en los productos de servidor** tienen una garantía de 3 años. Puede extenderse por la longitud completa del período de garantía del servidor si se cuenta con ProSupport o una garantía superior.
  2. SSD NVMe (PCIe): las unidades utilizadas en los productos de servidor tienen una garantía de servidor de hasta 5 años. Puede extenderse por la longitud completa del período de garantía del servidor si se cuenta con ProSupport o una garantía superior.
    1. SSD SATA, SAS y NVMe empresariales (U.2) adquiridas como componentes de Dell Technologies:
      • Los productos de servidores PowerEdge no son elegibles para la compra de cobertura de garantía extendida más allá de los 3 años a partir de la fecha de envío original, a menos que se adquieran con una oferta de servicio por separado, como ProSupport o servicios ProSupport.
      • El producto de almacenamiento sigue la garantía del sistema, no más; por ejemplo, si los sistemas tienen una garantía de 3 años, la garantía de la SSD también es de 3 años, no más. Cuando se vende con un servidor, su garantía no es superior a 3 años. El contrato de ProSupport (o superior) extiende la garantía a la duración de la garantía del servidor.
    2. Los dispositivos SSD PCI Express (PCIe) Express Flash PowerEdge tienen la duración de la cobertura de garantía de hardware limitada para el sistema Dell con el que se envía el dispositivo SSD PCIe Express Flash PowerEdge. Los dispositivos SSD PCIe Express Flash PowerEdge no son elegibles para la compra de cobertura de garantía extendida por más de 5 años de cobertura desde la fecha de envío original, a menos que se adquieran con una oferta de servicio por separado, como los servicios ProSupport Plus o ProSupport.

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Productos afectados

C Series, HS Series, Modular Infrastructure, Rack Servers, Tower Servers, XE Servers, XR Servers, OEM Server Solutions
Propiedades del artículo
Número del artículo: 000137759
Tipo de artículo: How To
Última modificación: 13 may 2026
Versión:  10
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