一般内存模块安装原则
注: 不遵循这些原则的内存配置可能会导致系统无法引导、在内存配置过程中停止响应或操作内存减少。
系统支持 Flexible Memory Configuration(灵活内存配置),因此系统能够在任何有效的芯片组结构配置中配置和运行。建议的内存模块安装原则如下:
- 基于 x4 和 x8 DRAM 的内存模块可以混用。有关更多信息,请参阅“模式特定原则”部分。
- 每个通道最多可填充三个双列或单列 RDIMM。
- 如果安装不同速度的内存模块,它们将以最低或较低安装内存模块速度运行(具体取决于系统 DIMM 配置)。
- 仅在安装处理器时填充内存模块插槽。对于单处理器系统,插槽 A1 至 A4 可用。对于双处理器系统,插槽 A1 至 A4 和插槽 B1 至 B4 可用。
- 首先填充所有带白色释放卡舌的插槽,然后填充带黑色释放卡舌的插槽,最后填充带绿色释放卡舌的插槽。
- 当混合使用具有不同容量的内存模块时,先用具有最高容量的内存模块填充插槽。例如,如果要混用 4 GB 和 8 GB 的内存模块,则将 8 GB 内存模块填充在具有白色释放卡舌的插槽中,将 4 GB 内存模块填充在具有黑色释放卡舌的插槽中。
- 在双处理器配置中,每个处理器的内存配置应该相同。例如,如果填充处理器 1 的插槽 A1,则填充处理器 2 的插槽 B1,以此类推。
- 如果遵循其他内存填充规则,则不同容量的内存模块可以混用(例如,4 GB 和 8 GB 内存模块可以混用)。
- DIMM 插槽 A3、A4、B3 和 B4 的内存模块需与插槽 A1、A2、B1 和 B2 中的 DIMM 反向 180° 插入。
- 不支持在同一个系统中混合使用两个以上的内存模块容量。
- 每个处理器一次填充四个内存模块(每个通道一个 DIMM)以最大化性能。
表 1. 散热器—处理器配置此表介绍了 FC430 支持的散热器和处理器配置。 处理器配置 | 处理器类型(瓦特) | 散热器宽度 | DIMM 数量 |
最大系统容量 | 可靠性、可用性和可维修性 (RAS) 功能 |
双处理器 | 最大 120 W | 61 毫米 | 8 | 8 |
单处理器 | 140 W | 96 毫米 | 4 | 4 |
120 瓦 | 61 毫米 | 4 | 4 |