Dell PowerEdge FC430 用户手册

高级纠错代码 (lockstep)

高级纠错代码 (ECC) 模式将 SDDC 从基于 x4 DRAM 的 DIMM 扩展到 x4 和 x8 DRAM。这样可防止正常操作期间单个 DRAM 芯片出现故障。

内存模块的安装原则如下：

所有内存模块在大小、速度和技术上必须相同。
安装在带有白色释放杆的内存插槽中的 DIMM 必须相同，并且相同的规则适用于带黑色和绿色释放卡舌的插槽。这可确保相同 DIMM 成对匹配安装 — 例如，A1 与 A2、A3 与 A4、A5 与 A6 等等。
带有白色释放卡舌的内存插槽中安装的 DIMM 必须相同，类似规则适用于带黑色和绿色释放卡舌的插槽。这可确保相同 DIMM 以匹配对安装 - 例如，A1 与 A2、A3 与 A4 等。

表 1. 高级 ECC (Lockstep)高级 ECC (Lockstep)。
处理器	配置	内存填充规则			内存填充信息
单 CPU	高级 ECC (Lockstep)	{1,2}, {3,4}			括号内的数字指示必须成对填充的插槽，允许奇数对。
双 CPU 注: 从 CPU1 开始填充循环	高级 ECC (Lockstep)	C1{1,2},C2{1,2},C1{3,4},C2{3,4}….			括号内的数字指示必须成对填充的插槽，允许奇数对。

注: 不支持带镜像功能的高级 ECC。