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Dell Latitude 3400 サービス マニュアル

DDR4

DDR4(ダブル データ レート第4世代)メモリは、DDR2およびDDR3テクノロジーを高速化した後継メモリです。DDR3の容量はDIMMあたり最大128 GBですが、DDR4では最大512 GBです。ユーザーが間違った種類のメモリをシステムに取り付けるのを避けるため、DDR4同期ダイナミック ランダム アクセス メモリの設計は、SDRAMおよびDDRと異なっています。

DDR4に必要な動作電圧はわずか1.2ボルトで、1.5ボルトを必要とするDDR3と比較して20パーセント低くなっています。DDR4は、ホスト デバイスがメモリをリフレッシュしなくてもスタンバイに移行できる、ディープ パワーダウン モードもサポートしています。ディープ パワーダウン モードでは、スタンバイ電力消費量が40~50パーセント低減されると期待されています。

DDR4の詳細

DDR3とDDR4メモリ モジュール間には、以下の微妙な違いがあります。

切り込みの違い
DDR4モジュールの切り込みは、DDR3モジュールの切り込みとは別の位置にあります。切り込みは両方とも挿入側にありますが、DDR4の切り込みの位置は若干異なっています。これにより、モジュールが互換性のないボードまたはプラットフォームに取り付けられないようにします。
図 1. 切り込みの違い
画像:切り込みの違い
厚み増加
DDR4モジュールはDDR3より若干厚く、より多くの信号レイヤーに対応します。
図 2. 厚みの違い
画像:厚みの違い
カーブしたエッジ
DDR4モジュールのエッジはカーブしているため挿入が簡単で、メモリの取り付け時にかかるPCBへの圧力を和らげます。
図 3. カーブしたエッジ
画像:カーブしたエッジ

メモリエラー

システムでメモリ エラーが発生した場合、「ON-FLASH-FLASH」または「ON-FLASH-ON」という新しい障害コードが表示されます。すべてのメモリが故障した場合、LCDは起動しません。メモリ障害のトラブルシューティングを実行するには、一部のポータブル システムと同様に、システムの底部またはキーボードの下にあるメモリ コネクタで動作確認済みのメモリ モジュールを試します。

注:DDR4メモリは基板に埋め込まれており、図や説明で示されているように交換可能なDIMMではありません。

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