Dell EMC PowerEdge T430 用户手册

您的系统支灵活内存配置，使系统能够在任何有效芯片组结构配置中配置和运行。下面是建议的最佳性能原则：

• LRDIMM 和 RDIMM 不可混装。
• 基于 x4 和 x8 DRAM 的 DIMM 可以混用。有关详情，请参阅“模式特定原则”部分。
• 一个通道中最多可填充三个单列或双列 RDIMM。
• 如果所安装的内存模块速度不同，它们将以系统中速度最慢的内存模块的速度或更低的速度运行（具体取决于系统 DIMM 配置）。
• 仅在安装处理器时填充 DIMM 插槽。对于单处理器系统，插槽 A1 至 A8 可用。对于双处理器系统，插槽 A1 至 A8 和插槽 B1 至 B4 可用。
• 先填充具有白色释放卡舌的所有插槽，再填充具有黑色卡舌的插槽。
• 按以下顺序按 DIMM 的最大容量填充插槽 - 首先填充具有白色释放拉杆的插槽，再填充具有黑色释放拉杆的插槽。例如，如果要混用 16 GB 和 8 GB 的 DIMM，则用 16 GB 的 DIMM 填充具有白色释放卡舌的插槽，再用 8 GB 的 DIMM 填充具有黑色释放卡舌的插槽。
• 在双处理器配置中，每个处理器的内存配置必须相同。例如，如果填充处理器 1 的插槽 A1，则填充处理器 2 的插槽 B1，以此类推。
• 如果遵循其他内存安装规则，则不同大小的内存模块可以混用（例如，4 GB 和 8 GB 内存模块可以混用）。
• 根据模式特定原则，每个处理器一次填充四个 DIMM（每个通道一个 DIMM）以最大化性能。有关详情，请参阅“模式特定原则”部分。