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Por qué la estación de trabajo Precision T3600 no realiza la post, arranca ni reconoce la memoria correctamente después de actualizar la memoria
Summary: Este artículo contiene información sobre por qué mi estación de trabajo Precision T3600 no realiza la POST, inicia ni reconoce la memoria correctamente después de actualizar la memoria. ...
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Índice:
El T3600 es compatible con una configuración de un solo procesador con 4 ranuras DIMM dedicadas. La cantidad máxima de memoria que admitirá el sistema es de 64 GB. El siguiente gráfico proporciona configuraciones de ocupación de memoria compatibles.
La versión de Windows instalada en el T3600 también afectará la cantidad de memoria que el sistema operativo puede reconocer. Las versiones de 32 bits de Windows solo reconocerán un máximo de 4 GB de memoria y existen otras limitaciones con algunas versiones de 64 bits de Windows. Compruebe ellímites de memoria para las diferentes versiones de Windows
antes de intentar actualizar la memoria del sistema.
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La controladora de memoria en el T3600 es compatible con arquitecturas de doble canal, de canal triple y de cuatro canales. Los MÓDULOS DIMM de memoria dentro de un canal específico se deben ocupar comenzando con los DIMM más alejados de la CPU. Las ranuras dimm 1 y 2 se deben ocupar antes de las ranuras 3 y 4.
Para garantizar el máximo rendimiento del canal, los módulos de memoria siempre deben instalarse en pares de tamaño, velocidad y tecnología coincidentes. El sistema funcionará con un rendimiento de memoria reducido cada vez que se instalen pares de memoria coincidentes.
Por ejemplo, para lograr un rendimiento cuádruple del canal, los cuatro módulos de memoria deben ser idénticos en cuanto a velocidad y capacidad. Cuando solo se instalan dos módulos de memoria, el rendimiento de la memoria del sistema se revertirá al modo de doble canal. Cuando solo se instalan tres módulos de memoria, el rendimiento de la memoria del sistema funcionará en modo de canal triple.
En la siguiente imagen, se muestra cómo se ubican las ranuras de memoria en la placa base:
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El T3600 admite módulos SDRAM ECC ddr3 sin búfer o registrados con velocidades de 1333 MHZ y 1600 MHZ. La memoria DDR3 proporciona un aumento en la velocidad de acceso y también permite capacidades de chip individuales de hasta 8 GB en cada módulo de memoria. Una placa base compatible con DDR3 solo puede admitir este tipo de memoria, ya que tiene una clave diferente a la de los módulos de memoria anteriores:
Cuando se instalan módulos de memoria de velocidades diferentes, todos los MÓDULOS DIMM funcionarán a la velocidad del DIMM instalado más lento. Por ejemplo, si el sistema incluye una configuración mixta de módulos de memoria de 1333 MHZ y 1600 MHZ, la velocidad general de acceso a la memoria del sistema será de 1333 MHZ.
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- Tamaño máximo de memoria compatible con T3600
- Reglas de ocupación de memoria
- Velocidad de memoria soportada
| 1. | Tamaño máximo de memoria compatible con T3600 |
El T3600 es compatible con una configuración de un solo procesador con 4 ranuras DIMM dedicadas. La cantidad máxima de memoria que admitirá el sistema es de 64 GB. El siguiente gráfico proporciona configuraciones de ocupación de memoria compatibles.
La versión de Windows instalada en el T3600 también afectará la cantidad de memoria que el sistema operativo puede reconocer. Las versiones de 32 bits de Windows solo reconocerán un máximo de 4 GB de memoria y existen otras limitaciones con algunas versiones de 64 bits de Windows. Compruebe ellímites de memoria para las diferentes versiones de Windows
antes de intentar actualizar la memoria del sistema.
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| 2. | Reglas de ocupación de memoria |
La controladora de memoria en el T3600 es compatible con arquitecturas de doble canal, de canal triple y de cuatro canales. Los MÓDULOS DIMM de memoria dentro de un canal específico se deben ocupar comenzando con los DIMM más alejados de la CPU. Las ranuras dimm 1 y 2 se deben ocupar antes de las ranuras 3 y 4.
Para garantizar el máximo rendimiento del canal, los módulos de memoria siempre deben instalarse en pares de tamaño, velocidad y tecnología coincidentes. El sistema funcionará con un rendimiento de memoria reducido cada vez que se instalen pares de memoria coincidentes.
Por ejemplo, para lograr un rendimiento cuádruple del canal, los cuatro módulos de memoria deben ser idénticos en cuanto a velocidad y capacidad. Cuando solo se instalan dos módulos de memoria, el rendimiento de la memoria del sistema se revertirá al modo de doble canal. Cuando solo se instalan tres módulos de memoria, el rendimiento de la memoria del sistema funcionará en modo de canal triple.
En la siguiente imagen, se muestra cómo se ubican las ranuras de memoria en la placa base:
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| 3. | Velocidades de memoria admitidas |
El T3600 admite módulos SDRAM ECC ddr3 sin búfer o registrados con velocidades de 1333 MHZ y 1600 MHZ. La memoria DDR3 proporciona un aumento en la velocidad de acceso y también permite capacidades de chip individuales de hasta 8 GB en cada módulo de memoria. Una placa base compatible con DDR3 solo puede admitir este tipo de memoria, ya que tiene una clave diferente a la de los módulos de memoria anteriores:
Cuando se instalan módulos de memoria de velocidades diferentes, todos los MÓDULOS DIMM funcionarán a la velocidad del DIMM instalado más lento. Por ejemplo, si el sistema incluye una configuración mixta de módulos de memoria de 1333 MHZ y 1600 MHZ, la velocidad general de acceso a la memoria del sistema será de 1333 MHZ.
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Affected Product
Precision T3600
Last Published Date
03 Feb 2022
Version
7
Article Type
Solution