Skip to main content
  • Place orders quickly and easily
  • View orders and track your shipping status
  • Enjoy members-only rewards and discounts
  • Create and access a list of your products
  • Manage your Dell EMC sites, products, and product-level contacts using Company Administration.

Что такое системная память (ОЗУ)?

Summary: Узнайте о системной памяти или оперативном запоминающем устройстве (ОЗУ). Ознакомьтесь с наглядным руководством и пояснениями по различным типам системной памяти.

This article may have been automatically translated. If you have any feedback regarding its quality, please let us know using the form at the bottom of this page.

Article Content


Symptoms

Оперативная память (ОЗУ) — это память компьютера, в которой хранится информация, необходимая во время выполнения той или иной программы. Оперативная память представляет собой хранилище данных, которое позволяет получать доступ к сохраненным данным в произвольном порядке, а не в последовательном. Для сравнения: другие типы запоминающих устройств (например, запоминающие устройства на магнитной ленте, диски и запоминающие устройства с магнитным барабаном) могут получать доступ к данным на носителе только в предварительно заданном порядке из-за ограничений механической конструкции.

Добавление памяти — один из самых простых и экономичных способов повышения производительности компьютера, поскольку большинство компьютеров поставляются с минимальным объемом памяти.


Типы системной памяти или ОЗУ

Ваша система Dell была произведена с использованием и поддерживает только один определенный тип ОЗУ. Системная память, поддерживаемая вашей системой, не взаимозаменяема с другими типами ОЗУ.
  • DDR-SDRAM (Double Data Rate-Synchronous DRAM)
    Это усовершенствованный тип SDRAM, который позволяет передавать вдвое больше памяти за тактовый цикл. Память DDR-SDRAM также иногда называется SDRAM II или DDRAM.
     
  • SDRAM (Synchronous Dynamic RAM)
    Память такого типа поставляется в комплектах SIMM и DIMM и доступна в двух конфигурациях:
    • ОЗУ без контроля четности (также называемое ОЗУ без ECC)
      Обычно дешевле, чем ОЗУ с контролем четности.
    • ОЗУ с контролем четности (также называемое ОЗУ с ECC)
      Память такого типа обычно используется в ресурсоемких приложениях (например, больших электронных таблицах и базах данных) и содержит дополнительную микросхему, которая помогает свести к минимуму ошибки, связанные с оперативной памятью.
    • Модули памяти с контролем четности и модули памяти без контроля четности обычно несовместимы друг с другом.
       
  • RDRAM (Rambus Direct RAM)
    Модули памяти RDRAM, разработанные компанией Rambus, Inc. в качестве преемника SDRAM, поставляются только в комплектах RIMM.

Информация о памяти SIMMS (ОЗУ)

Модули памяти SIMM (модули памяти с однорядным расположением выводов) — это оперативная память более старого типа. Модули SIMM — это первые карты памяти Memory Stick, которые производились массово (Рис. 1).

SLN116405_en_US__2simm
Рис. 1. Модуль память SIMM.
 
Сначала модули SIMM выпускались в виде небольших 30-контактных моделей с разрядностью 8 бит, а затем стали производить 72-контактные модули с разрядностью 32 бита. 30-контактные модули SIMM имеют длину около 9 см и высоту около 2 см, обычно с 8 громоздкими микросхемами SOJ (Small Outline J-lead). 72-контактные модули SIMM имеют длину около 10,7 см и высоту около 2,5 см, на них установлено 8–16 микросхем SOJ.

До появления модулей SIMM большинство модулей памяти устанавливалось непосредственно на системную плату, где не было пространства для модернизации. К различным типам SIMM относятся: без контроля четности, с контролем четности, с быстрым страничным доступом и с расширенным выводом (EDO).

  • Без контроля четности — только неформатированная память для временного хранения и извлечения данных.
  • Память с контролем четности обеспечивает проверку сохраненных данных на наличие ошибок, чтобы контролировать, что они не изменены и не повреждены перед использованием.
  • FPM обеспечивает более высокую производительность за счет оптимизации страничного режима доступа памяти.
  • EDO обеспечивает еще более высокую производительность, позволяя памяти одновременно выполнять операции чтения и записи.

Скорость

Скорость модулей SIMM измеряется в наносекундах (сокращенно «нс») и обычно составляет 15 нс или меньше. Обратитесь к документации по вашей системе, чтобы определить технические характеристики модулей памяти для вашей системы.


Информация о памяти DIMM (SDRAM)

Модули памяти DIMM (двухсторонний модуль памяти) стали следующим значительным улучшением технологии памяти после памяти SIMM. Модули DIMM имеют 168 контактов и поддерживают пропускную способность 64 бита, что устраняет необходимость установки модулей памяти SIMM в парах для систем Pentium. (Рис. 1) Модули DIMM имеют длину около 13,6 см и высоту около 4 см, на них установлено 8–16 небольших микросхем TSOP.

SLN116405_en_US__4dimm
Рис. 1. DIMM — 168-контактный модуль SDRAM.

SDRAM

Позднее на основе памяти DIMM была создана память SDRAM (синхронная динамическая память с произвольным доступом), ставшая производным продуктом памяти SGRAM (Synchronous Graphics RAM) — очень быстрой, но дорогой памяти видеокарты. Выпускаются модули SDRAM с кодом коррекции ошибок и без кода коррекции ошибок. Память с кодом коррекции ошибок аналогична памяти с контролем четности в том, что она проверяет наличие ошибок памяти и перехватывает их. Эта память обладает дополнительной возможностью исправления небольших ошибок, что позволяет системе продолжать работу, в то время как память с контролем четности останавливает систему сразу после обнаружения ошибки.

Скорость

Память SDRAM была синхронизирована со скоростью системной шины FSB (Front-Side Bus), что привело к 25-процентному скачку производительности. Скорость измеряется частотой в мегагерцах (МГц). Память SDRAM обычно производится как PC100 или PC133 (100 МГц и 133 МГц соответственно). Не рекомендуется комбинировать модули SDRAM PC100 и PC133. Технические характеристики вашего компьютера см. в документации по системе.


Информация о памяти RIMM (RDRAM и CRIMM)

В начале 2000 года модули RIMM ненадолго стали самой популярной памятью для систем высшего класса (Рис. 1).

SLN116405_en_US__5rimm
Рис. 1. Модуль RIMM (Rambus Inline Memory Module). Эта архитектура памяти (также известная как RDRAM), разработанная компанией Rambus, Inc, потенциально может превысить производительность DRAM на 1000%, но только после того, как скорость системной шины FSB превысит 200 МГц. Кроме того, модули RDRAM работают только в системах, предназначенных для памяти RDRAM.

Существует два типа систем Rambus. Первоначально системы поставлялись с одноканальной настройкой. В последующих системах используется двухканальная конфигурация, которая оптимизирована для повышения производительности. В двухканальных системах для оптимальной производительности требуются два одинаковых модуля RIMM на группу каналов, но системы будут работать с одной или несколькими конфигурациями со сниженной производительностью. Память RDRAM также выпускается в виде модулей с кодом коррекции ошибок и без кода коррекции ошибок.

Память с кодом коррекции ошибок аналогична памяти с контролем четности в том, что она проверяет наличие ошибок памяти и перехватывает их. Эта память обладает дополнительной возможностью исправления небольших ошибок, что позволяет системе продолжать работу, в то время как память с контролем четности останавливает систему сразу после обнаружения ошибки.

В отличие от SDRAM, память RDRAM работает в последовательной цепи, то есть все слоты памяти должны быть заполнены, чтобы цепь закрывалась, а память была доступна. Если используется только один модуль RIMM, то в другие слоты должен быть установлен модуль CRIMM (Continuity Rambus Inline Memory Module), который является модулем без памяти (Рис. 2).

SLN116405_en_US__7crimm
Рис. 2. Скорость

CRIMM

Скорость памяти RDRAM измеряется в мегагерцах, а памяти Rambus присваивается название в зависимости от скорости. Например, память RDRAM PC800 работает на частоте 800 МГц. Как и в случае с SDRAM, не рекомендуется комбинировать скорости RDRAM.

Большинство технических характеристик и функций RDRAM указаны для RDRAM PC800. Память RDRAM также выпускается в конфигурациях PC600 и PC700.

Информация о памяти DDR SDRAM

Память DDR SDRAM (синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных) — это, пожалуй, самая передовая технология памяти, доступная в настоящее время ( Рис. 1). Как и SDRAM, память DDR была создана благодаря стремительному развитию графической архитектуры и впервые была реализована в видеокарте NVIDIA GeForce256.


SLN116405_en_US__9ddr_dimm_01
Рис. 1. DIMM — 184-контактный модуль DDR-SDRAM

В отличие от SDRAM, которая выполняла операции чтения/записи при увеличении тактовой частоты каждой системы, память DDR выполняет эти операции как на восходящем, так и на нисходящем фронте каждого тактового сигнала системы, эффективно удваивая производительность памяти для еще большего увеличения общей производительности.

Скорость

Скорость измеряется в мегагерцах (МГц). Модули DDR-DSRAM доступны в широком диапазоне скоростей от 100 МГц или PC1600 до 566 МГц или PC4500 (впоследствии будут добавлены модули с более высокими скоростями).

Для получения дополнительной информации о скорости DDR-SDRAM см. статью базы знаний Dell: «Как определить скорость передачи данных или скорость модуля памяти DDR SDRAM? » 

Обзор памяти DDR2

Что такое память DDR2?

  • DDR2 SDRAM — это синхронный интерфейс динамической памяти с произвольным доступом с удвоенной скоростью передачи данных. Он пришел на смену исходной спецификации DDR SDRAM и сам в последующем был заменен на DDR3 SDRAM. Модули памяти DDR2 не совместимы с модулями DDR и DDR3 (модули имеют разный вид разъемов, чтобы предотвратить установку неправильных модулей).
  • Внутренняя тактовая частота DDR2 составляет половину от внешней тактовой частоты DDR, память DDR2 работает с той же тактовой частотой, что и память DDR, что позволяет DDR2 обеспечивать ту же пропускную способность, но с более высокой задержкой. Кроме того, если память DDR2 работает с тактовой частотой внешней шины данных, в два раза превышающей тактовую частоту DDR, то она может обеспечить удвоенную пропускную способность с такой же задержкой. Модули памяти DDR2 с лучшими показателями работают как минимум в два раза быстрее, чем модули памяти DDR с лучшими показателями.
Обзор памяти DDR3

Что такое память DDR3?

  • DDR3 — это новый этап в развитии технологий памяти, и эта память предлагает несколько улучшений по сравнению с существующей архитектурой DDR2. Основным преимуществом является увеличение скорости шины ввода-вывода, которая работает в 4 раза быстрее модулей памяти, которые она содержит. Память DDR3 также поддерживает микросхемы емкостью от 512 Мбайт до 8 Гбайт. Это позволяет использовать модули памяти объемом до 16 Гбайт.
SLN116405_en_US__111344578883970.DDR
Рис. 3. Сравнение модулей памяти для настольных ПК (DIMM). 

Поддерживаемые данные скорости шины:

  • DDR2-400/533/667/800/1066
  • DDR3-800/1066/1333/1600/1866/2133

Cause

Нет причины.

Resolution

Additional Information

Article Properties


Last Published Date

14 Nov 2023

Version

6

Article Type

Solution