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14G BIOS:BIOS 回闪失败并显示“UEFI0305: 无法在前一次启动中更新 BIOS 固件(错误代码 = 0000000000000200)

Summary: 针对一些内存配置的BIOS backflash被阻止,以防止较早版本中的微代码问题导致系统挂起。

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Article Content


Symptoms

在尝试将第14代BIOS回滚至以前的版本时失败并出现以下错误消息:
 
UEFI0305:无法在前一次启动中更新 BIOS 固件(错误代码 = 0000000000000200)
请重试该操作。如果问题仍然存在,请联系您的服务提供商。

Cause

Resolution

第14代服务器上,安装BIOS 1.4.5或更高版本后,针对某些内存配置(18nm技术RDIMM)的BIOS backflash被阻止,以防止1.1.7或更早BIOS版本中的微代码问题导致系统挂起。需要安装BIOS 1.2.11或更高版本以支持全新18nm技术RDIMM。由于所有已发布的BIOS版本包含纠正后的微代码,PowerEdge C4140服务器不受此问题影响。
 
QNA44339_en_US__1icon 注:尽管 PowerEdge C4140 BIOS 确实包含完全支持 18nm 技术 RDIMM 的微码,但 BIOS 版本 1.2.4 至 1.2.7 错误地设置了关联的 BIOS 标记,该标记会阻止对未包含该 BIOS 标记的 BIOS 进行回闪或更新。  PowerEdge C4140 BIOS 版本 1.6.11 删除了该 BIOS 标记,因为它在技术上不是必需的。如果满足下面列出的所有三个条件,则当客户尝试从 BIOS 版本 1.2.4/1.2.6/1.2.7 更新到版本 1.6.11 或更高版本时也将失败,并显示相同的错误消息。在本案例中,如何更新到 1.6.11 或更高版本的解决方案与下面所示内容相同。

如果满足以下三个条件,则BIOS 1.4.5或更高版本将阻止BIOS backflash:
  • 至少安装了一个使用全新18nm技术的16GB RDIMM(请参阅以下供应商部件号示例)
  • 以每通道2个DIMM(2DPC)的配置安装内存(安装至任意黑色连接器,每CPU超过6个DIMM)
  • 系统内存速度为2666 MT/s
QNA44339_en_US__1icon 提醒:从 BIOS 版本 1.4.5 开始,BIOS 回闪要求通过操作系统或 iDRAC 安装 Dell Update Package (DUP)。UEFI BIOS更新工具将不再允许执行BIOS backflash。

如果需要执行BIOS backflash,且已安装18nm 16DIMM,则需要执行以下三个操作之一:

  • 将系统内存速度降低至2400 MT/s或2133 MT/s,或
  • 卸下DIMM,让系统转变为1DPC配置,或
  • 卸下所有使用18nm技术的DIMM
Micron 18nm 16GB DIMM自1月起已被运往戴尔工厂。Samsung 18nm 16GB DIMM 于 3 月开始运往戴尔工厂。

通过查看 iDRAC GUI - System -> Inventory  -> Hardware Inventory 中的“PartNumber”字段并展开 DIMM 信息,即可识别 18nm 16GB DIMM:

QNA44339_en_US__3image(2486)

此示例将显示 Micron 16GB DIMM。PartNumber 18ASF2G72PDZ-2G6D1是一个20nm DIMM的部件号。18nm Micron DIMM 的部件编号:18ASF2G72PDZ-2G6E1。

Samsung 16GB 20nm DIMM 显示的部件编号为 M393A2K43BB1-CTD。18nm Samsung DIMM 的部件编号为: M393A2K43CB1-CTD

 

Article Properties


Affected Product

PowerEdge, Poweredge C4140, PowerEdge C6420, PowerEdge FC640, PowerEdge M640, PowerEdge M640 (for PE VRTX), PowerEdge R440, PowerEdge R540, PowerEdge R640, PowerEdge R740, PowerEdge R740XD, PowerEdge R940, Precision 7920 Tower

Last Published Date

16 Sep 2021

Version

4

Article Type

Solution