在尝试将第14代BIOS回滚至以前的版本时失败并出现以下错误消息:
UEFI0305:无法在前一次启动中更新 BIOS 固件(错误代码 = 0000000000000200)
请重试该操作。如果问题仍然存在,请联系您的服务提供商。
第14代服务器上,
安装BIOS 1.4.5或更高版本后,针对某些内存配置(18nm技术RDIMM)的BIOS backflash被阻止,以防止1.1.7或更早BIOS版本中的微代码问题导致系统挂起。需要安装BIOS 1.2.11或更高版本以支持全新18nm技术RDIMM。由于所有已发布的BIOS版本包含纠正后的微代码,PowerEdge C4140服务器不受此问题影响。
注:尽管 PowerEdge C4140 BIOS 确实包含完全支持 18nm 技术 RDIMM 的微码,但 BIOS 版本 1.2.4 至 1.2.7 错误地设置了关联的 BIOS 标记,该标记会阻止对未包含该 BIOS 标记的 BIOS 进行回闪或更新。 PowerEdge C4140 BIOS 版本 1.6.11 删除了该 BIOS 标记,因为它在技术上不是必需的。如果满足
下面列出的所有三个条件,则当客户尝试从 BIOS 版本 1.2.4/1.2.6/1.2.7 更新到版本 1.6.11 或更高版本时也将失败,并显示相同的错误消息。在本案例中,如何更新到 1.6.11 或更高版本的解决方案与
下面所示内容相同。
如果满足以下三个条件,则BIOS 1.4.5或更高版本将阻止BIOS backflash:
- 至少安装了一个使用全新18nm技术的16GB RDIMM(请参阅以下供应商部件号示例)
- 以每通道2个DIMM(2DPC)的配置安装内存(安装至任意黑色连接器,每CPU超过6个DIMM)
- 系统内存速度为2666 MT/s
提醒:从 BIOS 版本 1.4.5 开始,BIOS 回闪要求通过操作系统或 iDRAC 安装 Dell Update Package (DUP)。UEFI BIOS更新工具将不再允许执行BIOS backflash。
如果需要执行BIOS backflash,且已安装18nm 16DIMM,则需要执行以下三个操作之一:
- 将系统内存速度降低至2400 MT/s或2133 MT/s,或
- 卸下DIMM,让系统转变为1DPC配置,或
- 卸下所有使用18nm技术的DIMM
Micron 18nm 16GB DIMM自1月起已被运往戴尔工厂。Samsung 18nm 16GB DIMM 于 3 月开始运往戴尔工厂。
通过查看 iDRAC GUI - System -> Inventory -> Hardware Inventory 中的“PartNumber”字段并展开 DIMM 信息,即可识别 18nm 16GB DIMM:
此示例将显示 Micron 16GB DIMM。PartNumber 18ASF2G72PDZ-2G6
D1是一个20nm DIMM的部件号。18nm Micron DIMM 的部件编号:18ASF2G72PDZ-2G6
E1。
Samsung 16GB 20nm DIMM 显示的部件编号为 M393A2K43
BB1-CTD。18nm Samsung DIMM 的部件编号为: M393A2K43
CB1-CTD